ITU-T B-ISDN编号和寻址方案的进展情况——参加ITU-T第2研究组1996年5月会议专题报告

根据ITU-T1996年5月通过的建议E.191“B-ISDN编号和寻址方案”,简述了B-ISDN编号和寻址的基本原则、号码结构、地址结构和号码的用途。     

GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

利用高压光致发光方法在液氮温度下和０—３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究．测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Γ谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ．在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类Ｘ态相关的发光峰，从而得到了类Γ态能级和类Ｘ态能级随压力的变化关系．首次获得了有关ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格能带不连续性（包括价带     

电信网末端结构与电信经营效益的探讨

从现在电信网末端一般结构出发，提出提高线路网运行经济效益的根本问题是提高单位线路的话务量，因此，必须改变电信网末端结构。文章分析了现在通信技术发展给电信网末端结构改变创造了条件及末端网路结构改变的可行性，进而阐述了网路末端结构的改变产生的显著社会效益和经济效益。     

MOS结构准静态测试中的异常C—V曲线

本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。     

野外铝管接头故障的处理方法

乐清市大荆广电中心站于2000年完成HFC网络的建设，采用60V集中馈电方式供电，到2004年，随着用户的发展，本站网络采用星型拓扑结构，并应用大量12C—FT电缆作为干线传输网，以满足用户需求，如何确保电视信号质量的稳定是目前迫切需要解决的问题。     

d轨道分裂和过渡金属化合物性质的研究

用群的表示来讨论过渡金属化合物中心离子在不同对称场中d轨道分裂 ,并通过群链的分解 ,应用广义Wigner-Eckart定理来研究d轨道分裂能。然后进一步解释过渡金属二硫属化合物电子结构、电学性质的特点和宝石的致色机理     

DiskOnChip G4：下一代NAND移动存储

M系统公司推出下一代MLCNAND移动存储解决方案DiskOnChip G4，用在有丰富多媒体特性的手持设备。多级单元（MLC)NAND DiskOnChip G4能提供较好的成本结构，具有DiskOnChip G3三倍的写入性能，20倍的MLC NOR性能。     

添加尖晶石对氧化锌压敏电阻性能的影响

通过添加尖晶石（Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ（１２））改性研制出电位梯度为１００Ｖ／ｍｍ左右，压敏电压在８２～１５０Ｖ，通流容量可达１６００Ａ／ｃｍ２，漏电流＜２μＡ系列压敏电阻器，从而满足了国内电话交换机行业对８２Ｖ、１００Ｖ、１２０Ｖ、１５０Ｖ压敏电阻器的电性能要求。从工艺的角度解释了尖晶石对氧化锌瓷晶粒的作用原理，并分析了尖晶石的微观结构及粒度对瓷片电性能的影响。     

激光对CCD器件破坏时几种阈值的测量

本文简要回顾了近十年来激光CVD(LCVD)技术的发展概况及其在金属、电介质和半导体薄膜生长方面的应用情况。阐明了这种新发展起来的成膜技术不仅因其生长的低温化能够给器件带来优良的电学特性,同时也可利用其高精度的膜厚控制特性获得新结构的材料和器件。作者还对该技术的广泛的应用前景予以展望和肯定。