基于ATmega128L微控制器的高压断路器测试仪

引　　　言高压断路器也俗称高压开关,它是当电力网中遇到自然界的雷击或者人为造成短路现象时,能够及时顺利地切断线路电源,以保证电力系统和工厂高压电器设备的安全。一旦高压断路器不能可靠分合,必须及时发现,否则会有设备损坏及人身伤亡事故发生。所以对高压断路器产品出厂     

CMOS模拟开关在准多线测量中的应用

已有不少文章介绍了在普通示波器(单踪或双踪)上增加一块附加线路装置以实现多路信号的同时测试,但往往存在下列问题:1.示波器一次扫描中连续显示几路输入信号;2.不能准确的观测各信号间的相位关系;3.输出与输入无确定的定量关系;4.工作可靠性差(当嫁接某路输入信号的直流电平为极限值时很易烧坏器件);5.线路复杂造价高。笔者为了教学实验与科研的需要对此问题进行了研究,设计调试出一种对多路输入信号参数可测性强、工作可靠、线路简单的附加线路,把它与单踪示波器(例SBM-10A)配合后可以准确地进行模拟与数字电路(或系统)的实验与测试。一、测试原理测试原理见图1。图中各方框的作用如下: 地址编码器:相应于每一路输入产生一代码,以便多路开关根据代码的不同选择一路输入信号。实际上地址编码器为一计数器,它对示波器的输出脉冲(与扫描锯齿波同周期,且下降沿对应扫描的起始时刻,上升沿对应回扫)在回扫时刻进行计数,计数器的状态即为     

Cr^4＋：YAG可饱和吸收特性测量

测量了Cr4+:YAG材料的可饱和吸收特性,用多种数据分析方法处理了实验结果,Cr4+:YAG的基态吸收截面σgs=11×10-19cm2,激发态吸收截面σes=1.2×10-19cm2。     

半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。     

开关电流技术：一种新的模拟抽样数据处理方法

开关电流（ＳＩ）技术是一种新的模拟抽样数据处理技术，介绍了开关电流电路的基本单元结构，讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较，ＳＩ技术不仅结构简单，而且与标准ＣＭＯＳ工艺兼容，可望替代开关电容电路。