受抑全内反射激光Q开关

本文简述一种新型激光Q开关——受抑全内反射Q开关，详细介绍了这种Q开关的工作原理和结构，给出了这种Q开关用于Nd3^＋：YAG激光器的实验结果，并与LiNbO3电光Q开关和BDN染料Q开关进行了比较。用受抑全内反射Q开关调Q的Nd^3＋；YAG激光器在输入能量为6．4焦尔时，得到激光单脉冲能量为73．7毫焦尔，全效率达到1．1％以上，激光脉冲宽度（1/e）为15-20毫微秒。     

应用于信号处理的Fourier变换与小波变换

在分析Fourier变换与小波变换异同点的基础上,对它们在不同类型信号的处理过程中的应用进行了探讨．并给出一个检测故障点的仿真实例,证明了小波变换的优越性．     

一种基于Au-TiW触点的提高RF MEMS开关寿命的方法

针对基于Au-Au触点的射频微电子机械系统(RF MEMS)开关寿命低的问题,提出了一种高寿命RF MEMS开关的研制方法。对比Au与其他金属的硬度、杨氏模量以及方阻,最终选择性能优良的TiW金属作为新触点材料,其制备参数为溅射功率300 W,气压5 mTorr(1 mTorr=0.133 Pa),溅射时间1 568 s。设计了基于Au-TiW触点的RF MEMS开关工艺流程,给出了详细工艺参数,为进一步提高可靠性,设计了RF MEMS开关封装工艺流程并制作了封装样品。测试比较了基于Au-Au触点的RF MEMS开关与基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的寿命与射频性能。结果表明,虽然基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的射频性能有所降低,但开关寿命提高了两个数量级。该研究为提高RF MEMS开关的寿命提供了一种解决办法。     

用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计

碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度,而且使设备体积小型化。文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路,通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试,验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT,对比开通和关断时间,将不同占空比对应的输出电压进行比较。利用PSpice软件仿真,结果显示驱动电路设计合理,验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点,比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小。     

电源

低功耗系列电压基准产品系列,MR16兼容式LED射灯专用芯片组,16位I^2C LED调光器,高度集成照明管理IC,高电压、高亮度LED驱动器,针对移动设备的低噪声开关稳压器,双转换速率可控负载开关……     

安川发布Z1000U HVACMatrix驱动器

安川发布可提供谐波抑制、功率因数控制且节能的Z1000U HVAC Matrix驱动器。HVAC Matrix驱动器(Z1000U)在标准Z1000所具有的特有HVAC功能的基础上还在节省空间的设计中提供了极低的谐波失真。这种单一组件方案仅靠自身就实现了优异的低失真,完全无需额外的对策,如无源滤波器或多脉冲。Matrix技术采用的是一种9个双向开关被布置成阵列形式的系统,将三相交流输人电压直接转换为三相交流输出     

直流电—直流电开关变流器的统一建模方法

提出一种能通用于脉宽调制（ＰＷＭ）型，准谐振型，桥式串（并）联谐振型等各类开关变流器的统一建模方法，脉冲波形积分法。本法能充分反映各类变流器的自身特点，为变流器动态性能指标的分析与设计提供统一衡量标准。文中以两种类型变流器为例阐明建模原理，并将建模结果与有关文献进行比较，计算机仿真结果证明所建模型是正确的。     

谐振型开关电源

通过对行输出级电路和传统开关电源的分析，把谐振原理应用于开关电源中，这种电路具有零电压开关特性，从而有效地降低了开关过程的功耗，提高了转换效率，并对其所存在的问题以及解决方法提出了一些看法。