N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

HARRIS Z系列调频发射村输出功率校准方法探析

本文介绍了Harris Z系列全固态调频发射机的功率控制原理和有关电路，分析了用于发射机功率校准的相关A／D值和校准因子的含义，给出了Z系列调频发射机输出功率校准的步骤。     

TI推出LAN开关TS3L301

德外仪器(TI)目前宣布推出支持干兆以太网LAN交换的LAN开关TS3L301。TS3L301是TI提供的同类解决方案中性能极高的版本。除了高带宽之外，该器件还实现了低输入／输出电容(Con=6pF典型)、低而平坦的导通阻抗(ron=4Q典型，ron(flat)=0．7Ω典型)以及低差动串扰(XTALK=-41dB典型)。低而平坦的导通阻抗可避免不同频率间出现较大的信号变异与衰减。这在对于在10Base-T(10MbPS)、     

基于IR1167的智能同步整流控制

引言 随着近年来数字处理电路电压的不断降低，电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高。整流器件已从最初的肖特基二极管整流，发展到用同步整流开关管替代二极管，以降低功耗。目前，控制同步整流开关管的方法主要有分立式和基于锁相环的控制芯片两种。用分立元件实现同步整流的缺点是响应过慢，系统可靠性相对差。单芯片同步整流是基于锁相环技术的，从初级取信号同步控制次级整流开关管，这种方法的缺点是不能保证在间隔模式（轻载或空载时发生）下可靠操作。     

AD8656：双运算放大器

美国模拟器件公司推出一款适合＋2．7～＋5．5V电源电压供电，具有低噪声性能的精密双运算放大器AD8656。它是ADI公司最近推出的AD8655的双放大器版本，其噪声指标比同类解决方案低2／3。     

单稳态触发器的结构及其开关级设计原理

根据单稳态触发器定时单元特性,提出了单稳态触发器的一般结构.在此基础上,运用传输电压开关理论进行了CMOS单稳态触发器的开关级设计研究,并具体设计了两个单稳态触发器.设计实例表明文中提出的方法不仅简单、有效,而且具有通用性.     

LT3470：微功率降压型DC／DC转换器

凌特公司推出一款在ThinSOT封装中集成了升压与箝位二极管的40V微功率降压型DC／DC转换器LT3470。该器件输入电压范围4V～40V，可提供200mA的输出电流，适用于2节锂电池、交流适配器或汽车电源应用。突发模式(Burst Mode)运行可使静态电流降至26μA，外形尺寸仅为50mm^2，可以用于空间受限的应用。     

2006年国内主要开关市场

开关是电接插元件中的一大类产品，是构成整机电路系统电气连接必不可少的基础元件之一，已成为我国信息产业基础元件中不可或缺的新颖门类产品。     

一种新型2×2 S0I热光开关

设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫一曾德（MZ）热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器，同时，为了保证单模传输和调制，在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制，有利于自映像质量的提高，从而减少了自映像损耗和不均衡度，同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关，其插入损耗为-11．0dB，其中包括光纤波导耦合损耗4．3dB，上升和下降开关时间分别为3．5μs和8．8μs。     

光电倍增管脉冲性能研究

采用外腔式电光开光,调制主动照相探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器受长时间强激光照射.对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高4.5倍.该技术对其他光敏探测有借鉴意义.