复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

一种新型基于石英的热光型光开关

一种采用基于石英的平面光波回路技术（PLC）制造的热光型光开关正越来越引起关注，它具有低耦合损耗、高稳定性及适于大规模集成等优点。首先描述了采用热光相移器构成马赫-曾德于涉仪（MZI）结构的热光型光开关，然后讨论2×2MZI热光型开关的工作原理及基本特性，最后介绍了由2×2MZI热光型开关单元构成的大规模光开关阵列以及一种采用悬梁式结构热光相移器的低功率消耗的光开关。     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。     

基于IGBT的PWM大功率直流伺服驱动

本文介绍ＩＧＢＴ、ＥＸＢ８４１和ＬＥＭ模块在大功率ＰＷＭ直流伺服驱动系统中的应用和系统抗干扰设计。使用效果表明，基于ＩＧＢＴ的设计，可提高大功率直流伺服系统的可靠性和性能、减小体积、降低成本。     

双踪电子开关

双踪电子开关陈学煌（青海师范大学，西宁，８１０００８）使普通单踪示波器能观测双路信号的方法，已有过一些介绍。本文给出作者设计的一种特殊电路，它采用一片ＣＭＯＳ集成电路，功耗低、频率特性好。该电子开关的原理见图１、图２。传输门Ａ和Ｂ在控制信号发生器的支...     

N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

HARRIS Z系列调频发射村输出功率校准方法探析

本文介绍了Harris Z系列全固态调频发射机的功率控制原理和有关电路，分析了用于发射机功率校准的相关A／D值和校准因子的含义，给出了Z系列调频发射机输出功率校准的步骤。