大环二萜类化合物的研究(Ⅳ)——Isosarcophytol—A前体化合物的合成

Isosarcophytol-A(1)是1982年首次从澳大利亚软珊瑚(Nephthea brassica)中分离鉴定的西松烷型(Cembrane)大环二萜类化合物,其结构为6,10,14-三甲基-3-异丙基-3E,5E,9E,13E-环十四碳四烯-1-醇,是Sarcophytol—A(2)的异构体,但有关1的生物活性试验和全合成研究尚未见报道.我们在前文报道了以低价钛诱导的分子内二羰基偶联为环化方法,完成了天然大环二萜类化合物Cembrene—C的全合成和Sarcophytol—A(2)苄醚衍生物(3)的合成.本文报道以天然法呢醇4为起始原料,经区域选择性氧化、羟醛缩合等六步反应,合成了1的前体化合物11.合成路线如下:     

E，E—1，4—二[2′,2^〃—（苯并恶唑基乙烯基）]苯及衍生物的合成和光性能

合成了E，E－1，4－二[2′,2^〃-（苯并恶唑基乙烯基）]苯及衍生物共14种，测定了它们的熔点、红外光谱、核磁共振氢谱、紫外吸收光谱和荧光发射光谱、荧光量子产率及激光性能。     

Synthesis of 6（E）—Geranylgeraniol—19—oic Acid

Facile synthesis of 6(E)-geranylgeraniol-19-oic acid 1,a naturally occurring alicyclic diterpene acid, by a Horner-Wadsworth-Emmons olefination of two readily available fragments 2 and 3,is described.     

C2H4-K体系中振动态至电子态传能的研究

用TEA CO_2激光将C_2H_4分子激发到高振动激发态，高振动激发态的C_2H_4分子与基态的K原子碰撞发生振动态→电子态（V→E）传能过程，根据提出的能级组模型，对测得的时间分辨原子荧光信号进行处理，获得温度在453－663 K范围内，C_2H_4-K体系中V→E传能速率的数量级为10~(-10)/cm~3·molecule~(－1)·s~(－1)，对应的碰撞传能截面约为0.30～0.80 nm．随着反应温度升高，V→E传能截面减小．上述实验结果表明碰撞体间吸引相互作用在这种非共振的V→E传能过程中起主要作用．利用多极相互作用势下的碰撞络合物模型对实验结果进行了讨论．     

手性配体的空间结构与产物对映选择性的关系

首次采用4－烷氧羰基噻唑烷、E唑烷作为手性配体，诱导烷基锌对醛类的亲核加成反应，获得产物是烷基化的醛，最高达90％ee，产率98％的（S）－二级醇。系统地考察了该类手性配体三维空间结构变化与产物对映选择性的关系，当配体4－位烷氧羰基上的R、2－位R′基和环体上原子X发生变化时都会引起产物（S）－二 级醇的对映选择性发生规律性变化。对五种不同结构的底物醛在同一手性配体催化下，诱导烷基锌对醛类的亲核加成反应，底物结构变化也会引起（S）－二级醇对映选择性变化。     

交流示波极谱法中i_f～E曲线的研究 Ⅳ.示波极谱氧化还原滴定法

在i_f～E曲线的测量方法中,由于氧化和还原剂都具有电化学活性,因此,这两种试剂的量就可以通过不同电极电位处的法拉第电流峰敏锐地反映出来。当利用i_f～E曲线指示氧化还原滴定终点时,终点的示波图形,不仅反映氧化和还原剂电流峰的出现和消失,而且反     

蜜蜂外激素9－ODA和9－HDA的合成

６－溴－２－己酮在Ｌｉ２ｃｕＣｌ４催化下与γ－溴代巴豆酸甲酯进行格氏偶联，合成了蜂王物质９－羰基－（Ｅ）－２－癸烯酸（９－ＯＤＡ），将其还原得到另一蜂王物质９－羟基－（Ｅ）－２－癸烯酸（９－ＨＤＡ）。该法是合成９－ＯＤＡ和９－ＨＤＡ的新路线。     

低成本Si基GaN微电子学的新进展

进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。     

低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)

进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用发展的带动下,Si基GaN微电子学已进入产业化快速发展阶段。介绍了Si基GaN微电子学在射频Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)新器件结构、工艺与可靠性,Si基GaN HEMT单片微波集成电路(MMIC),Si基E模功率GaN HEMT结构设计,大尺寸Si基GaN HEMT工艺,Si基GaN功率开关器件的可靠性,Si基GaN功率变换器的单片集成和高频开关Si基GaN器件的应用创新等工程化、产业化方面的最新技术进展。分析和评价了低成本Si基GaN微电子学工程化和产业化的发展态势。