Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.     

数字电视用中分辨率74cm纯平彩色显像管BC配列不良的分析与对策

通过对74cm中分辨率纯平彩色显像管BC配列局部严重群散不良的调查分析,确定荫罩受力塌陷是主要原因,通过改良设计、工艺优化及其它方面的综合对策,使以上技术难题得到满意的解决,整管不良率由4.78%下降到0.172%。     

再流焊设备的选购

根据再流焊设备的发展现状，针对性的进行了分析，以便为厂家的选购提供必要的参考。     

复合流场上吸罩流场理论分析

提出在计算复合流场内存在两种不同流态的流动:势流和紊流。针对两种流动,分别建立了其数学模型,对于紊流流场,针对标准k-ε紊流模型的缺陷,采用了RNGk-ε紊流模型使紊流控制方程封闭。以及提出了边界条件的确定原则。为复合流场的数值计算提供了理论指导。     

微桥法镍膜的弹性模量和残余应力测量

利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。     

恒流二、三极管的特性及其应用

恒流二极管和恒流三极管是许多爱好者不太熟悉的半导体器件。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流,并有很高的动态阻抗。由于其温度特性好、价格较低、使用方便,因此目前被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。一、恒流二极管和三极管的性能特点1.恒流二极管的性能特点恒流二极管实际由两端结型场效应管连接而成,其电路     

对基于交换网络分层结构的软件无线电方案的改进

通过比较各种软件无线电结构的优缺点,针对既具有交换网络结构又具有分层结构优点的基于交换网络的分层无线电结构方案,提出了部分改进思想。     

一种A5流密码算法的设计实现

A5算法是一种利用伪随机数和非线性运算实现的流密码,它是求和生成器和钟控移位寄存器的组合,其线性复杂度大于两种生成器线性复杂度,加密速度快,适合无线突发信道。     

协同工作式非线性编辑网络的解决方案

通过对一种非线性编辑网络解决方案的探讨,分别从软件、硬件、网络、工作方式等方面阐述了协同工作式非线性编辑技术.     

一个新颖的轮廓线跟踪算法

提出了一个新颖的基于隐马尔科夫模型与光流的轮廓线跟踪算法。曲线描绘由B样条形状空间向量来表达,能够捕捉全局和局部变形。提出应用沿曲线的光流计算来预测曲线在下一帧的位置,在预测曲线的基础上,提出应用隐马尔科夫模型来准确定位曲线的位置。隐马尔科夫模型提供了一种有效的概率手段来融合多种量测特征比如边缘,曲线平滑性,区域灰度或颜色统计信息等等,能够更准确的定位曲线位置。基于仿射形状空间的实验了表明本文所提出算法的有效性。