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251.
252.
在刚挠结合印制板中,层间不同粘接材料的热性能与镀层差异较大时,在热循环的条件下孔内镀层会发生疲劳断裂从而导致电性能缺陷。以两种典型的层间材料(不流动半固化片和纯胶片)为例,对影响PTH孔铜可靠性的材料特性因素方面进行探讨,首先采用一定的通孔应力应变模型理论分析通孔的应力分布,进而结合通孔的失效评估模型理论计算了不同材料下不同孔径的通孔的疲劳寿命,确定了不同介质材料下通孔的耐热循环性能;最后,通过冷热循环试验进行验证,对比出两种层间材料的差异,同时,通过对失效板件进行切片及SEM形貌分析,提出了PTH在热冲击下的失效原因和机理,获得了材料选择和性能对比的依据。 相似文献
253.
254.
时域与空域结合实现光束匀滑的光谱优化分析 总被引:3,自引:1,他引:3
为改善焦斑的均匀性以应用于惯性约束聚变(ICF)的实验,从焦斑形态的控制出发,在随机相位板(RPP)和连续相位板(CPP)做空域整形下,用同样带宽和最大谱色散角,模拟了不同光谱形状的匀滑效果,通过焦斑强度的功率谱密度(PSD)和平顶的均方根(RMS)对获得的焦斑进行评价.结果表明,改善光谱形状可以提高匀滑效率,优化光谱相对主流的正弦调频光谱对匀滑效果的均方根值可提高43.7%.同时,设计相位板时考虑焦斑上不同空间频率的权重,有利于匀滑. 相似文献
255.
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。 相似文献
256.
无光焦度校正板在光学像差校正中具有重要的作用。为校正大口径离轴抛物面的轴外像差,根据离轴抛物面式平行光管的设计特点,提出了一种用偏置于离轴抛物面镜之后的无光焦度校正板以校正其轴外像差的新结构。根据三级像差理论,分析并进一步推导了大口径离轴抛物面的单色像差分布系数,推导出偏置无光焦度校正板与离轴抛物面的空间几何关系,得出了计算偏置无光焦度校正板初始结构的方法。经过实例验证,由此方法计算出的初始结构参数正确,可有效提高优化设计的效率,同时,此结构能够以相对较小的口径校正离轴抛物面的轴外像差。 相似文献
257.
Based on the solvable spin-1/2 Heisenberg chain we demonstrate how two many-body systems are entangled due to their partial entanglement. The entanglement wave in the two spin chains displays a damped oscillation if the spin number is N 〉 3, and only propagates with a certain velocity depending on the coupling constant J. Moreover, the entanglement wave will be reflected on the other ends of the two spin chains. A simple scheme for transferring some special two-qubit states to other two distant qubits is also proposed. 相似文献
258.
259.
260.
设计了一种使用固定校正器进行像差校正的共型光学系统,固定校正器采用大口径非球面透镜,对各子跟踪场的像差进行了严格校正.位于固定校正器后的成像系统进行回转跟踪时,搜索角度最大可达±80°,成像质量较好,且不会产生半球形整流罩光学系统在大角度搜索时容易出现的挡光现象.光学系统光阑与探测器冷屏重合,冷光阑效率达到100%. 相似文献