基于抽样随机一致性和图像特征的图像配准

文中介绍了一种基于Harris角点检测图像特征的图像配准方法。通过随机一致性算法(RANSAC)和正则化交叉相关测度建立了待配准图像和模板图像之间特征点的对应关系。分别采用仿射变换和透射变换通过该对应关系进行图像配准。在完成配准后,分别采用自适应B样条插值算法和多项式插值算法对配准后的图像进行校正。采用信噪比和交叉相关系数作为评价标准,通过对几种方法相结合的图像处理结果进行比较,得出结论:对应超声TOFD图像,仿射变换结合B样条插值校正的方法可以得到最好的效果。     

BP网络过拟合现象满足的不确定关系新的改进式

类比信息传递过程中的一般测不准关系式 ,引进表征问题复杂性的函数复相关系数R和代表网络结构特性的隐节点数h ,揭示了BP网络过拟合现象出现时的网络学习能力与推广能力之间满足的不确定关系式 ;通过模拟了 12种不同类型复杂程度函数的过拟合数值试验 ,确定出关系式中的过拟合参数 p的取值范围已缩小为 1×10 -5～ 5× 10 -4;给出应用BP网络对给定样本集的训练过程中 ,判断出现过拟合现象的方法     

TCF792单、三相通用数字相位控制触发电路

TCF792是单、三相通用数字相位控制触发电路.它采用单相同步信号输入,数字分频移相120°,以适应三相触发电路.触发角2-178°,可选择矩形波或调制波输出.脉冲宽度采用电压控制,无需移相电容.在电路功能上全面兼容TC787,TC788,TC790A,TC790B,TCA785,KJ004,KJ041,KJ04等几乎所有种类的单、三相移相触发电路且价格低廉.该芯片移相角可选择传统的锯齿型线性输出或余弦函数输出两种方式.当采用余弦函数输出时,它的整流输出电压与控制电压成线形关系.该芯片可用于可控硅、双向可控硅和晶体管类控制电路.它可用于交直流转换Q电路、交流控制和三相电流控制器.它具有价廉、易用、性能优良、无需调试的优点.     

应用网络分析法分析正比计数管输出电压

研究了将正比计数管等效为电流源后,应用时域分析中常用的卷积积分的方法,分析含正比计数管的网络的输出电压.此法不但有利于通过网络分析的概念理解这一物理过程,而且便于计算正比计数管的输出电压或电流.所得的输出电压的表达式与应用其他方法所得出的结果相同,因此可根据输出电压的波形与电路时间常数的关系,选择时间常数以确定输出脉冲宽度,使正比计数管适用于不同的计数率.     

基于模式间混淆关系自适应构建层次化分类器

为了解决层次化分类器的设计难点——子分类器的层属关系及其内部组成的确定,本文首先定义了模式间混淆关系,用于描述不同模式在判决域中的相互作用;进而提出了基于混淆矩阵度量模式间混淆关系的方法。设计并实现了多模式混淆关系分析机MPCRAM,将有师指派和无师自组两种常用的模式重组方法有机结合,遵循Fisher准则,自适应地产生层次化分类器结构。大量综合测试证实了该方法有效、实用,可显著提高分类器的识别性能和稳健性。     

基于模拟关系的编译优化实现正确性验证方法

编译器中通常采用各种优化方法来提高目标代码的质量,为了实现较好的效果,一些编译优化算法通常十分复杂,很容易给可靠性和安全性带来隐患.现有的编译器缺陷大部分是由优化阶段引起的.传统的编译优化正确性研究大部分只关注优化算法的正确性,但是只有该算法被正确的实现了才能确保实际运行的优化过程是正确的.本文提出一种基于模拟关系的方法来验证编译优化实现的正确性.在每次优化结束后,我们通过建立优化前代码和优化后代码之间的模拟关系生成优化正确应满足的逻辑条件,然后验证逻辑条件是否成立从而判定编译优化的实现是否正确性.以优化编译中的常量折叠优化和变量替换的验证作为示例显示了本方法的有效性和可靠性.     

结合关系建模与项重写技术的时序电路等价验证

提出一个新颖的时序电路等价验证的方法框架.该方法有效地结合了关系建模和项重写技术.首先利用带有测试条件的Kleene关系代数建模时序设计,进而通过对关系表达式的项重写来证明时序设计的等价性.与传统的基于状态空间遍历的时序等价验证方法相比,该方法提供了一种全新的思路.     

主流交换机上快速确定端口、IP与MAC对应关系的方法

作为网络管理员,我们在日常工作中经常要在交换机上确定端口、IP地址与MAC地址的对应关系,不论是当我们通过网管软件或是日志服务器了解到某个IP地址的主机出现问题,还是我们要重新整理网络拓扑结构时,都需要确切地知道某个IP地址或者某个MAC的主机位于交换机的哪个端口上,或者哪个端口上连接了哪些IP或MAC地址的主机,即需要快速确定三者的对应关系。     

左手材料平板波导的传输特性

研究了无色散左手材料(LHM)作为芯层的对称三层平板波导中TE波的传输特性.研究表明,导波和表面波都可以在这种波导中传播.导波不存在TE0模式,只有TE0,TE1模式才会出现表面波.此外还发现在特定结构参数的波导中,可以存在同一阶模式的双传播模.详细分析了结构参数对这些特性的影响.     

6H-SiC单极功率器件性能的温度关系

基于碳化硅材料电离系数和迁移率的温度依赖性 ,利用有效电离系数的 Fulop近似 ,推出了 6 H- Si C单极性功率器件击穿电压和比导通电阻的温度依赖性解析表达式 .理论预言的击穿电压和临界电场与先前的实验结果基本一致 (误差小于 10 % ) ,验证了理论模型的适用性