npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。     

螺旋脉冲形成线实验

在脉冲功率技术中，长脉冲的电压脉冲形成是研究的一个难点。形成数百纳秒甚至上微秒采用一般的同轴传输线是不现实的，而采用集中参数人工线在负载为低阻抗时由于电容器的寄生电感等的影响而使波形成形较差。螺旋传输线可以延缓脉冲的传播速度，形成较长的脉冲，是比较有前途的发展方向，本次实验以300kV功率源作为螺旋线的脉冲充电电源，试验螺旋传输线形成高压脉冲的可行性及具体的技术问题。     

基于MAX120的峰值电压检测及其与CPLD的接口

介绍了一种性能良好的A／D转换器MAX120，详细阐述了基于MAX120的数字式峰值电压检测器，并示出了其逻辑功能的Verjlog—HDL描述和与CPLD的接口电路，最后给出了在窄脉冲测试源作用下的实测结果。     

EPON:下一代接入网的最佳选择

EPON技术具有大带宽、高性价比、结构简单和一定服务质量保证等特点,被业界普遍看好,成为 下一代接入网的最佳候选技术.本文主要介绍了EPON的工作原理、分层结构、接入控制和组帧方式,最后给出 了实现EPON的关键技术和难点以及EPON的发展近况.     

TVU型UHF10 kW速调管电视发射机灯丝电压不稳定因素的分析与改进

漯河电视台使用的ＴＶＵ4 11型电视发射机是外腔分放式速调管电视发射机 ,它与四极管电视发射机相比 ,速调管寿命长 ,性能稳定 ,便于维护。但在使用过程中发生灯丝电压不稳定 ,严重影响速调管的使用寿命 ,造成很大经济损失。我们分析电压不稳的原因并进行了改进 ,使机器质量得到明显提高。1　灯丝电压不稳的危害灯丝电压过低会使速调管阴极中毒 ,造成阴极发射不足 ,使速调管过早地失效 ;灯丝电压过高 ,不但使阴极过早地老化缩短寿命 ,而且还会使阴极金属物质飞溅到 1腔陶瓷环内壁 ,使其绝缘性能下降 ,导致速调管放大器的 1腔Ｑ值下降。在图…     

巧改老式彩电直流关机为交流关机

笔者在维修彩电过程中,将一些老式彩电的直流关机方式改为交流关机(又称全关机),既安全又实用、而且改装方法比较简单。不同老式彩电相对应的关机控制及改动电路有以下几种。一、主电源控制方式老式彩电用得最多的为继电器控制市电输入电源结构,如图1所示。220V电网电压通过电视机电源总开关S,再通过     

CMOS图像传感器的最新进展及其应用 (续)

主要介绍CMOS图像传感器的发展现状,最新进展、市场前景及其在医学上的应用。