应用于卫星调谐器的宽频带和低电源电压集成电路

三种可在５Ｖ低电源电压下工作的，应用于卫星调谐器的集成电路「ＲＦＡＭＰＩＣ（射频放大器集成电路），ＭＩＸ／ＡＧＣＩＣ（混凝器／自动增益控制集成电路），和ＦＤＥＭＯＤＩＣ（频率调制解调集成电路）」新近已设计成功。     

A～190区超形变带自旋指定的再讨论(Ⅰ)偶偶核

在γ跃迁能量中扣除了ΔI=4分岔的影响后,根据ab公式,系统讨论了A～190区偶偶核超形变带,给出了绝大多数超形变带的自旋值. 部分超形变带的自旋指定值,不同于其它方法得到的结果.     

继电器的脉冲冲击电压试验

本文以我公司技术人员在某飞机现场排故中发现的脉冲冲击电压对机载设备的破坏现象为线索，分析了飞机电源系统脉冲冲击电压产生的根源及分类，用行波传导理论建立了固体元器件及集成电路等遭受冲击电压破坏的失效机理。推荐了几种脉冲抑制电路及降额设计措施。本文对脉冲冲击电压试验的分析与介绍，具有广泛的参考价值。     

高发射率节能涂料及其应用

讨论了高发射率涂料节能的条件，了一种在1000℃仍保持高发射率的优质涂料，并解决了涂料与金属基体的粘结工艺，用此涂料制成增强辐射电阻带和复合炉衬，得到的新炉比旧炉节能20－40％。     

APON系统ONT中AAL5CPCS子层的实现

本文介绍了APON的系统结构和网络分层，并根据AAL5 CPCS子层实现的功能及DSP的优良特性，给出了APON系统ONT中AAL5公共会聚子层的一种实现方案，即应用DSP实现CPCS子层的各项功能。     

S波段微波取样锁相振荡源

较详细地介绍了一种Ｓ波段微波取样锁相振荡源的工作原理，性能，及设计中应解决的关键问题。该振荡源作为本振已应用于遥测接收机和接收变频器中，取得了满意的效果。     

N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

HARRIS Z系列调频发射村输出功率校准方法探析

本文介绍了Harris Z系列全固态调频发射机的功率控制原理和有关电路，分析了用于发射机功率校准的相关A／D值和校准因子的含义，给出了Z系列调频发射机输出功率校准的步骤。