镨掺杂分布对1.3μm光纤放大器特性影响

对掺氟化镨玻璃光纤放大器的小信号增益，用广义的高斯近似公式可获得精确的分析表达。文中研究了限制光纤芯层中央部分的镨掺杂对光纤放大器特性的影响，结果发现限制镨掺杂分布能改进光纤放大器的工作效率，且截止波长比芯层全部均匀掺镨的光纤更长。     

陶瓷鉴频器的带宽及其自动补偿

陶瓷鉴频器的带宽及其自动补偿青岛海信电器公司李继彬６０年代出现了一种轻小、价廉的新器件—陶瓷滤波器，可用来代替电路中的ＬＣ谐振回路，使机器小型化，并降低了成本。陶瓷滤波器用具有压电性能的陶瓷作材料，结构很像瓷介电容器，也是一块具有特定几何尺寸的薄片，...     

接收机有限带宽对多相码数字脉压的影响

限制接收机带宽是雷达系统中提高信噪比(SNR)的常用方法,相应的也会引起输出波形的失真。本文主要分析了多相码数字脉压雷达系统中,接收机有限带宽对脉压输出结果所造成的影响。运用五点滑动窗平均法在计算机上进行了模拟,并给出了仿真结果。     

C波段PLL频率综合器设计

通过一个C波段PLL频率综合器设计实例,介绍了设计环路参数的基本方法及提高输出频谱质量的简单措施,并给出了相应的实验数据。     

限制李超代数p-理想与其Frattini p-理想紧密联系的性质

对限制李超代数的一些p-理想与Frattini p-理想紧密联系的性质进行了讨论,给出p-基本限制李超代数和E-p-限制李超代数的一些结果,证明L是E-p-限制李超代数当且仅当L/φp(L)是p-基本的,研究了p-理想Ep(L)(其中Ep(L)是含于一切满足L/A是p-基本的所有p-理想A的交),描述限制李超代数的Frattini p-理想和某些p-理想之间的关系.     

华为宽带村通广覆盖解决方案

通过对全国十几个省中，上百个农村市场的实地调研，华为公司为农村信息化工程量身定制了“三高一低一免除”的宽带村通广覆盖解决方案，实现了宽带网络对农村市场的有效覆盖，达到了适应农村市场的“高带宽、高效率、高可靠、低成本、免维护”的要求。     

高性能ZnO纳米块体材料的制备及其拉曼光谱学特征

利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的ZnO块体材料，用MDI/JADE5 X射线衍射仪(Cu靶)和XL30S-FEG场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征.利用E55+FRA106/5傅里叶变换激光拉曼光谱仪通过ZnO块体样品位于50—500cm^-1之内的拉曼光谱, 研究了极性半导体纳米材料的拉曼光谱学特征.发现在极性半导体ZnO纳米块体材料中，没有出现明显的尺寸限制效应. 关键词： ZnO纳米块体 拉曼光谱 尺寸限制效应     

多孔硅发光机制的分析

从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。     

77K MOSFET计算机模拟增量限制方法

对低温器件计算机模拟方法作了具体的考虑。从求解变量和半导体物理意义出发，数值计算结果事先有一个定性范围，如果每一次循环的迭代初值都修正到这个数值范围内，那么选代过程将以更快的速度接近真解。提出了适用于低温半导体器件计算机模拟的增量限制方法，并且将该方法插入ＭＩＮＩＭＯＳ４．０进行了数值实验。结果表明，设置增量限制能保证低温半导体器件模拟的数值收敛性，并巨有较快的收敛速度。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。