首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   649篇
  免费   113篇
  国内免费   80篇
化学   48篇
晶体学   5篇
力学   53篇
综合类   12篇
数学   23篇
物理学   238篇
无线电   463篇
  2024年   5篇
  2023年   15篇
  2022年   20篇
  2021年   30篇
  2020年   26篇
  2019年   29篇
  2018年   12篇
  2017年   20篇
  2016年   23篇
  2015年   24篇
  2014年   60篇
  2013年   41篇
  2012年   44篇
  2011年   46篇
  2010年   43篇
  2009年   34篇
  2008年   64篇
  2007年   33篇
  2006年   28篇
  2005年   45篇
  2004年   31篇
  2003年   25篇
  2002年   13篇
  2001年   22篇
  2000年   16篇
  1999年   16篇
  1998年   13篇
  1997年   12篇
  1996年   4篇
  1995年   6篇
  1994年   9篇
  1993年   11篇
  1992年   6篇
  1991年   6篇
  1990年   2篇
  1989年   4篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1982年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有842条查询结果,搜索用时 234 毫秒
81.
目前手机产品发展日益蓬勃,在手机产品的电子制造过程中,呈现三大趋势:高速印刷、细间距印刷及无铅发展。本文将从手机用锡膏的这三大趋势阐述Multicore产品锡膏技术。  相似文献   
82.
变参数非等间距GM(1,1)模型及应用   总被引:11,自引:0,他引:11  
在对非等间距序列建模时,考虑到序列本身的特点,结合GM(1,1)模型的建模过程,提出了一种对非等间距序列建立变参数GM(1,1)模型的方法,并将其应用于具体实例进行分析,计算结果表明本文提出的方法具有较高的精度,从而为解决非等间距序列的拟合及预测问题提供了一种比较好的思路.  相似文献   
83.
系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性。这一结果对实现高T_0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义。  相似文献   
84.
本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式,并根据场限环优化条件,首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型,得到了考虑表面电荷效应后,优化单场限环洁构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式。分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影响,计算结果与文献中的数值模拟结果相符合,推得的公式可应用于场限环结构的实际设计。  相似文献   
85.
最近,聚合物包封技术方面的改进证明,在压焊阶段降低焊线弯曲是有效的。本文主要介绍了在改善细间距器件效率方面所使用的焊线包封料的抗弯曲方法,从而有利于提高生产效率,增进产品的可靠性特征:  相似文献   
86.
影响直流高压MLCC表面放电的因素   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过悬浮内电极排布、加大端头间距、使用自制专用表面整理剂对高压MLCC表面彻底清洁等工艺措施,对高压MLCC表面放电现象有很大改善,并显著提高了其耐电压性能。采用单悬浮电极排布、3.2mm端头间距,并用自制专用表面整理剂处理,制作1808规格、容量100pF、工作电压3000V的NP0特性MLCC产品,在6000V下没有表面放电现象,击穿电压在10000V以上。  相似文献   
87.
88.
本文研究了从生物组织的背向散射信号中提取散射元间距信息的多分辨率分析方法。从文中构造一维生物组织超声散射模型可以看到,散射元间距信息隐含在背向散射信号的低频包络中。本文采用绝对值检波方法作多分辨率分析的预处理,并采用能量最大准则确定检测的敏感尺度。仿真试验结果表明,这种方法可以有效地提取出背向散射信号中低频包络信息,准确地检测出散射元的位置;具有较强的抗噪性。  相似文献   
89.
90.
赵策洲  刘恩科 《光学学报》1994,14(12):324-1328
提出了一种简便可行的SOI无间距定向耦合光开关(BOA型-Bifurcation Optique Active)模型分析方法,采用等离子体色散效应这种光开关的电学调制机理;而用pn结大注入效应分析开拳电学性质;并根据大截面单模SOI脊形波导理论和上棕分析,设计了利用双模干淑机制工作的这种器件的结构参数和电学参数。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号