低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。     

热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究

对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析,并通过实验,研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的GMR自旋阀。     

巨磁阻效应及其应用

文章主要介绍了巨磁阻效应(GMR:Giant Magneto Resistance)的基本原理,也介绍了相应的应用的实现原理和方法,给出了利用GMR效应器件在电子设计的应用参考.     

基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器（MRCS）。为了检测微弱电流，此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的，设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50-10000倍、，待测的50Hz交流电流在50mA-12A时，输出电压在0.3-3.5V变化，并且两者之间有比较好的线性关系，标准偏差小于0.02，完全能满足工业上对电流的监测作用，从而保护因异常情况停止运转的马达。     

曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应

利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。     

布儒斯特角的非电量电测

利用无触点式角度电位器测量玻璃的布儒斯特角，实现角度量的电测，并准确得到玻璃的折射率．     

大学物理铁磁质教学中工程教育素材的融入

在大学物理课程铁磁质知识点的教学中,结合工程实践教育,使讲授的知识点能够理论联系实际,在提高教学效果的同时,使学生认识到理论知识在工程实践中的应用,进而使学生树立正确的知识价值观,提高学习兴趣,增强主动学习的意识.     

巨磁电阻效应——2007年诺贝尔物理学奖简介

瑞典皇家科学院宣布，法国科学家阿尔伯特·费尔（Albert Vert）和德国科学家彼得·格鲁伯格（Peter Grunberg），共同获得2007年诺贝尔物理学奖．获奖的原因是这两位科学家先后独立发现了“巨磁电阻”（giant magnetoresistance，GMR）效应．这个发现引发的技术进步极大地提高了计算机硬盘磁头的数据读取能力，使硬盘无论从容量还是体积上都产生了质的飞越．这个发现还导致了新一代磁传感器的出现，而且巨磁电阻被认为是纳米技术最重要的应用之一．     

谐振子势与高斯势联合势阱中玻色爱因斯坦凝聚体的巨涡旋态

研究谐振子势与高斯势联合势阱中玻色爱因斯坦凝聚体的基态。发现凝聚体形成巨涡旋时,其涡旋个数等于平均角动量,且凝聚体密度分布和角动量密度分布相同,进而得到凝聚体形成巨涡旋时所处基态是角动量的本征态。发现势阱从各向同性的环形势阱逐渐变为各向异性的环形势阱的过程中,凝聚体的平均角动量与涡旋个数之比先由1平缓下降,然后迅速下降,最后保持在0.5附近。同时给出凝聚体密度分布和角动量分布的特征,并作出相应解释。