Fe-Ag金属颗粒膜的巨磁电阻

采用量子唯象模型研究金属颗粒膜巨磁电阻的特性．在计算散射截面时，考虑了颗粒内各杂质原子之间的相位相干性．依据实验报告提供的颗粒尺寸分布的数据，推导了巨磁电阻依赖于颗粒尺寸及其分布和外磁场的函数表示式．对样品Fe-Ag的计算结果表明，其磁电阻随外磁场的变化和颗粒尺寸的分布有关；在某个颗粒尺寸标度D₀，磁电阻出现极大值，尺寸标度D₀的大小与外加磁场、样品材料和制备条件有关 关键词：     

北京汇德信诚聘技术销售经理

组成液体、气体以及固体的原子都是处于运动状态的，在许多物质中的原子在振动时的微小区别常会在物质的宏观性质上带来重大的差别，例如材料中杂质原子的运动常常能决定该材料是不是一种有用的半导体；同样对原子运动的测定可以了解材料的高温超导性、非常磁阻和其他许多重要的物理性质。     

MRAM技术有望取代DRAM和SRAM

德国国家物理技术研究院（PTB）研发小组进行了一项实验，通过磁性介质以从物理学角度理论上可行的最快速度完成数据的存储和读写。这将有助于使磁阻式随机存取存储器（MRAM）的读写速度赶上相应的电子存储器件。     

稀磁半导体Cd1—xFexTe的巨法拉第效应

在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系。首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅ０和Ｌ点的能隙Ｅ１随组分ｘ的变化规律和Ｅ０的温度关系。讨论了Ｆｅ＾＋＋离子内部能级间跃迁对实验结果的影响。     

硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米

近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100％)已超出摩尔定律的预言．这种惊人的高速增长中，最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构，即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用．事实上，巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化，并且形成大规模产业．这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限，进入纳米科技领域实质性进步．     

复合结构丝中的电流密度分布和巨磁阻抗效应

提出了由中间为高电导率的非铁磁性金属丝外面包裹一层铁磁材料组成的复合结构丝的电流 密度分布和巨磁阻抗(GMI)效应模型，并对Cu/FeCoNi复合丝进行了数值模拟. 结果表明：在 相同的磁性材料几何尺寸和磁特性时，Cu/FeCoNi复合丝铁磁层内的电流随频率的升高比匀 质FeCoNi铁磁丝内的电流更趋于表面分布，而且开始出现趋肤效应时对应的频率明显降低. 当在比较低的频率下就可以观察到明显的MI变化时，复合结构丝中的电阻和电抗变化主要是 由趋肤效应引起，趋肤效应仍然是引起复合结构材料(包括多层薄膜结构) 关键词： 电流密度 巨磁阻抗效应 趋肤效应     

巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战

介绍了巨磁电阻材料在信息存储中用于硬盘驱动器读出磁头的巨大应用前景，讨论了当今采用化学方法制备和研究这类材料的进展及存在的问题。     

Mn位掺杂钙钛矿结构化合物LaSr2Mn2-xNixO7的磁性和电性的研究

The effect of Ni substitution for Mn on magnetic and transport properties has been investigated for layered manganese oxides LaSr₂Mn_2-xNi_xO₇. Nickel doping hampered the canted antiferromagnetic (AFM) exchange at low temperature and their Neel temperature (T_N) decreased from 138 K (x=0) to 102 K (x=0.3). Meanwhile, spin glass, charge ordering and metal-insulator transition are suppressed by Ni addition. The resistivity increases obviously with increasing x due to double exchange interaction channel broken by Ni²⁺ addition. The resistivity of all samples in low temperature range fits to the Mott′s variable rang hopping (VRH) model, while it fits to nearest neighbor hopping of small polarons model in high temperature range.     

（La0.5Gd0.2）Sr0.3MnO3中的磁热效应

对A位掺杂的超大磁阻材料(La0.5Gd0.2)Sr0.3MnO3的磁热效应进行了研究，通过不同温度下等温磁化(M-H)曲线的测量和计算，发现伴随铁磁．顺磁相变出现大的磁热效应，额外的磁性交换作用将导致额外的磁熵变化。     

MoS2势垒层磁性隧道结的温度-偏压特性研究

MoS₂是一种具有特殊能带结构的二维半导体材料,当层数较少时,其带隙会随层数显著减小。因此,基于MoS₂势垒层的磁性隧道结会展现出更丰富的物理特性。文章通过理论计算分别得到了单层、双层、三层以及五层MoS₂势垒层磁性隧道结的温度-偏压相图,研究了铁磁电极半交换劈裂能对相图特性的影响。计算结果表明：单层和三层MoS₂势垒层磁性隧道结适合应用于低温器件中。其中,单层MoS₂势垒层磁性隧道结在高功率工作环境下具有优异的性能。双层MoS₂势垒层磁性隧道结的优化区域位于室温和低偏压区,因此适用于信息存储领域。五层MoS₂势垒层磁性隧道结可通过调节铁磁电极参数使其工作在较宽的功率范围内。上述研究结果为MoS₂势垒层磁性隧道结的应用奠定了坚实的理论基础。