基于声学传感器的可调式电子戒鼾器的设计

论述了基于声学传感器的电子戒鼾器的工作原理,介绍了设计等相关电路,给出基于声学传感器的电子戒鼾器的调试数据。调试结果表明,设计的电子戒鼾器的电路合理、可靠且具有不同的人可根据自身的情况来调节电子戒鼾器的输出电压功能。经临床试验,戒鼾效果良好,研制的电子戒鼾器具有很好的市场应用前景。     

中国农村低成本信息化发展模式的选择

在中国农业和农村现代化的建设进程中，正在面临着农村信息化带动农村现代化的“叠加时期”的难得的历史发展机遇。我们应当充分发挥农业信息化和农业现代化的“叠加效应”和“倍增效果”，以加快推进农村信息化，带动农村现代化。     

低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。     

热稳定自旋阀磁传感器及其性能优化研究

对一种Ta/NiFeCr/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta结构的顶钉扎自旋阀进行了优化。对自旋阀各层材料在整个结构中所起的作用进行了分析,并通过实验,研究自旋阀中每一层的厚度对磁电阻变化率(MR)的影响。最终得到了在80℃下磁电阻变化率高达10.5%的GMR自旋阀。     

跟踪直流大电流的低成本电流监控器

为了测量过载检测和保护时的直流大电流,设计者经常采用电流并联电阻器或环形磁芯,以及霍尔效应磁场传感器.这些方法都有缺点.例如,用一个10m Ω电阻器测量20A电流会白白耗散掉4W功率.     

新一代纳米级器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device

介绍了Synopsys Inc.新近推出的新一代纳米层次器件物理特性仿真工具——SenTaurus Device的功能特点以及进行器件物理特性仿真的典型流程。重点介绍了为实现nm级器件物理特性的模拟引入的诸多近代器件物理模型。利用SenTaurus Device对基于Sentaurus Process生成的一个90nm NMOS器件进行了器件物理特性仿真,并给出了相应结果。     

铁氧体双模器件的广义理论

铁氧体双模器件包括双模移相器,圆极化移相器,旋转场移相器.双模变极化器等等.其种类繁多,每种器件由若干基本双模段级联而成.每个基本单元上,外加磁场形式各不相同,有四磁极磁化场,纵向磁化场,双磁极磁化场及其混合磁化场.本文拟用统一的理论对其进行处理及分析并引入具体实例使用CAD技术进行计算,从而进一步确认理论的正确性.     

IEEE802.16e宽带无线接入网中的切换及其过程

文中介绍了基于IEEE802．16e宽带无线接入网的切换技术，包括背景知识，切换的几种分类，各自的特点以及彼此的区别，切换引发的因素，对切换过程进行了分析，最后对所谓的乒乓效应做出了解释，并简要分析了其克服方式。     

纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型

针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。     

巨磁阻效应及其应用

文章主要介绍了巨磁阻效应(GMR:Giant Magneto Resistance)的基本原理,也介绍了相应的应用的实现原理和方法,给出了利用GMR效应器件在电子设计的应用参考.