磁AB效应及其理论解释

本文介绍磁AB效应及其两种理论解释 ,进而说明经典电动力学具有局限性 ,量子力学是更高层次的物理理论     

正常金属/超导/正常金属双垒隧道结中的量子相干输运

考虑到量子相干效应和界面散射效应 ,利用 L ambert理论模型 ,计算正常金属 /绝缘层 /超导 /绝缘层 /正常金属双垒隧道结中的准粒子输运系数和隧道谱。研究表明 :( 1)所有的准粒子输运系数和电导谱在超导能隙之上都随能量作周期性振荡 ,其振荡周期依赖于超导层的厚度 ;( 2 )在超导能隙之上 Andreev反射系数随能量呈现周期性消失现象 ;( 3)在绝缘层势垒强度取很大的隧道极限下 ,超导层中会形成一系列的准粒子束缚态 ,其位置由量子化条件决定 ;( 4)界面散射效应不仅能压低各子能隙电导峰 ,还能使子能隙电导峰劈裂为两个峰。     

液晶电控效应的实验研究

详细阐述了液晶的电光效应,介绍了利用分光光度计测量液晶透射比的方法。通过改变加在液晶盒上的电压大小及其频率高低,详细测量了液晶的透射比。通过做图分析了液晶的电控双折射效应,得出液晶的透射比随所加电压的大小和频率的高低而变化,以及液晶的阈值电压随频率的增高而减小的规律,这对液晶器件的设计与研究均具有一定的参考价值。     

压电陶瓷微位移器件迟滞模型的研究

在通过统计物理学角度分析压电陶瓷迟滞规律的基础上，结合数学建模方法，提出了一种简单实用的压电陶瓷迟滞数学模型。并设计了压电陶瓷实验控制系统，对迟滞数学模型进行了验证，实验结果表明，此模型可以有效减小压电陶瓷的迟滞非线性误差，提高压电陶瓷微位移的控制精度，本研究有助于实现基于压电陶瓷的高精度开环微位移控制。     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.     

固体中光声拉曼效应的理论分析

从非线性波动方程出发，运用准平衡模型以及热弹理论，对固体样品中光声拉曼效应进行理论分析，导出了脉冲激光泵浦下光声拉曼信号的解析表达式，并总结分析了固体中光声拉曼效应的一些原理特性、实验问题和应用价值。     

多模干涉型集成光学器件研究进展

基于自镜像效应(SIE)的多模干涉(MMI)型集成光学器件是集成光学中具有广泛用途的重要器件。本文详细而系统地综述了近几年来MMI器在国内外的研究进展，特别是其在集成光学中的应用。     

基于CCD的激光微位移测量系统研究

介绍了一种基于多普勒效应的可进行动态微位移测量的激光微位移测量系统。该系统以He-Ne激光器为光源,配以干涉系统移动方向判别及分频系统、CCD视频信号的高速动态采集系统、微机处理系统及干涉图处理软件包等。与传统测量方法相比,其精度、灵敏度及稳定性都有较大提高,并实现了微位移的全自动测量。     

浮栅技术及其应用

介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。井对2种应用了浮栅技术的典型器件-浮栅MOS晶体管和神MOS晶体管做了详细介绍，分析了他们的基本结构和工作原理，以及建立浮栅MOS晶体管的等效模型，并说明了他们的应用情况及存在的不足。     

一种简单的S参数去嵌入技术

介绍了在低成本夹具上，任意微带结构二端口网络S参数去嵌入的方法；该方法用于获取放大器模块的S参数，根据这些参数设计的C波段的放大器实测结果与仿真一致。