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11.
在高频部分,通过用Wentzel—Kramers—Brillouin—Jefferys(WKBJ)解作为内场近似,本文证明了有耗非均匀媒质的反射系数在复平面上的轨迹是个圆。根据不同入射角度、不同极化的高频反射系数圆的圆心与半径,可以重建出有耗媒质的部分关键参数。本文方法同时适用于已知复反射系数谱和仅知反射系数振幅情况。文中给出具体重建实例。  相似文献   
12.
激发媒质中的非线性波动力学   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文报道了激发媒质中非线性动力学的最新进展,特别以心室纤维性颤动、化学涡波和大脑皮层扩布性阻抑作为例子。对于进一步的研究和应用也作了讨论。  相似文献   
13.
《物理实验》1991年3期刊登的《混合液体的折射率》是在一个物理模型的基础上,运用斯涅尔折射定律,通过推导,最后得出如下结果  相似文献   
14.
张权  姚焜  孙晴  郑虹  轩植华  吴强 《物理与工程》2004,14(6):28-29,34
讨论了在测定透明介质折射率的过程中彩色条纹变密的现象,并在其基础上分析其成因:一是由于媒质折射率加大;二是由于平形板介质平行度不好造成楔形的倾角变大,最后在实验中验证了理论结果。  相似文献   
15.
陈琪瑞  庞开 《有机化学》1990,10(2):129-134
本文研究了以Ag^+/Ag^26+及Gr^3^+/Cr~2O~7^+为双媒质, 对甾体药物中间体, 11α-羟基-16,17α-环氧黄体酮进行双媒介电解氧化, 产物为11-酮基-16,17α-环氧黄体酮。其化学收率>95%, 电流效率达到70%以上。说法与用铬酐在醋酸中进行氧化的化学法比较, 既大大降低原料的单耗, 又可消除Gr^3^+对环境的污染。本文还探讨双媒介电解氧化的机理。  相似文献   
16.
由于HF电磁波赖以反射的电离层是受复杂条件制约的时变媒质,在地理分布上极不均匀.不同发射点向某服务区构建的传播电路,因不同电路控制点电离层状态的差异,与电磁波相互作用的结果,在传播模式、落地场强及分布上呈现多变的形态.虽然国内短波发射点分布广泛,互补能力较强,但因发射点地理位置的不同对方案制定及播出效益所产生的影响仍不可忽视.本文试对此问题作了深入讨论,用数据和实例对沿边、滨海和腹地发射台承担播出任务的长项短项及高纬、低纬发射台在夜间使用频率的特性,汇总展示并予以评估.  相似文献   
17.
刘广东 《电子学报》2015,43(7):1382-1387
为方便一站式处理常见几类各向同性、线性、无磁耗电色散媒质的电波传播问题,提出了一种ADE-FDTD-CPML统一实现方案:一是问题空间和吸收边界的统一处理;二是色散特性的统一建模:适用的媒质类型可以是单一的Havriliak-Negami(H-N)媒质、Davidson-Cole(D-C)媒质、Cole-Cole(C-C)媒质、Debye媒质、常规媒质或其任意组合;媒质属性可以是单极或多极的、有电耗的或无电耗的.该方案利用帕德(Padé)近似法,导出了一组整数阶辅助微分方程(ADEs),既克服了时域描述时遇到的分数阶导数困难,又展现了通用性好、复杂度低等优势.几个一维、三维算例解析、数值结果之间的对比,初步证实了统一实现方案的可行性和有效性.  相似文献   
18.
为了寻找一种设计出特异媒质单元结构的可行方法,利用分形理论中的文法构图法,采用不同的公理和改写规则,设计出两种全新的分形图案,之后将其周期性地分别蚀刻在介质板两面,通过电磁仿真软件HFSS得到其散射参数的幅值和相位,利用等效参数提取软件提取其等效参数,成功构造出特异媒质中的一类,即左手材料,且在5.5~6 GHz频率下其等效介电常数和等效磁导率均为负。利用分形理论构造特异媒质单元结构的方法是方便可行的,且图形有无穷可能性。  相似文献   
19.
基于一种改进的Z变换-时域有限差分(Z-Finite-Difference Time-Domain,Z-FDTD)方法,即将双各向异性色散介质的频域本构方程先转化到Z域中,再利用Z变换的性质将其转换到时域,得到离散时域的FDTD迭代式,分析了双各向异性色散介质电磁波传播特性.由于Omega媒质是一种典型的双各向异性色散介质,以此为例编程计算了垂直入射在Omega介质板情形下产生的同极化和交叉极化电磁波的反射和透射情况,并通过算例和解析解对比验证了算法的正确性,最后对其电磁散射特性进行了分析.  相似文献   
20.
采用传输矩阵法,研究了由各向同性右手材料和各向异性左手材料组成的Thue-Morse准周期结构的反射带隙,分析了入射角、偏振和晶格比例缩放因子对反射带隙的影响.结果表明该结构存在一个全方向反射带隙,该带隙的宽度由TE模的低频带边缘和TM模的高频带边缘决定.当在该结构中插入一层缺陷时,在全方向带隙中出现一条缺陷模.对TE模,缺陷模的位置受入射角的影响很弱,而对TM模,缺陷模的位置随入射角的增大,向高频方向移动.  相似文献   
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