介质的非均匀性对高次谐波影响的研究

讨论了气体介质的非均匀性对飞秒激光高次谐波产生过程的可能影响.计算结果表明,采用喷阀技术所提供的气体介质的密度梯度和气体原子运动速度的影响很小,不会产生实验上可观测的效果.这一结果支持了喷气靶在高次谐波产生中的广泛应用 关键词： 高次谐波 气体介质 各向异性 飞秒激光     

精密垫片精冲工艺有限元分析与模具设计

精密垫片零件，如图1所示，零件材料为1Cr18Ni9Ti，强度大（σb=650MPa），有一定塑性。从零件尺寸精度看，φ4mm外圆为IT7级精度，φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求，冲裁断面与零件两端面有垂直度要求，普通冲压不能达到零件精度：从工序的角度看，有冲孔和落料工序，剪切面粗糙度Ra≤3．2μm，属于光洁冲裁范畴；另外，技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤，且光滑平整。总体上看，该零件的冲压加工性不好，难度较大，对模具的设计、选材、制造要求都较高。     

得可展示精密丝网和网板技术

今年4月1日至3日在拉斯维加斯APEX展会的得可展台上将展示一系列令人振奋的精密丝网和网板。批量印刷引领者得可将在展台1659展示大批公认的新设计产品，强调其全球顾客配备需实现更多工艺控制的原因。     

贴装焊盘上的通孔回流焊接时漏锡的工艺解决方案

当前通信行业尤其是军工企业处于特殊的考虑，所设计的PCB贴装焊盘上存在通孔，造成回流焊接时锡膏融化后沿着孔流走，不能形成有效焊点，即使形成焊点也因为少锡致使焊点机械强度及电气性能下降。现在的补救措施就是花费大量的人工进行补焊，但人工补焊对单元板质量的危害是极其深远的，现有某公司实际案例情况说明如下：     

NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术

NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术，布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法，达到了32nm工艺LSI所需的性能，同时解决了绝缘耐久性过低的问题。     

CHBr薄膜制备的初步研究

碳氢（cH）及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多，诸如：离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积（LPPCVD）等。近年来，详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺，形成了比较成熟的技术路线与工艺路线，并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。     

稀薄气体二维外部柱体绕流特性研究

本文采用直接模拟蒙特卡罗方法对稀薄气体二维外部柱体绕流问题进行了数值模拟。结果表明:外部绕流问题,在特定情况下会产生激波,激波的产生,不仅与气体的稀薄程度有关,还与来流马赫数有关。而气流与壁面之间的换热,随来流马赫数增加而增加,随气体稀薄程度增加而减小。     

Electronic Properties of Red P-Type Tl2S5 Single Crystals

Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found.