锡膏印制中的几个注意问题

介绍ＳＭＤ装配技术中锡膏印刷工艺中的一般性要求，提出了几个要求注意的问题。     

利用正交法优化人造水晶生长工艺

本文介绍了应用正交法优化人造水晶生长工艺的方法并在此基础上提出了生长工艺较为理想的设计；进一步明确了实际生产当中Ｑ值，生长速率，包裹体等各单项指标的优化方法，准确估计目前正使用的生长工艺距理想工艺的距离。从而有效地提高人造水晶生长工艺水平，在实际生产提供可靠的指导依据。本文给出利用正交法优化人造水晶生长工艺的较详细的操作和分析方法。     

193nm光刻技术进展和问题

光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生     

工艺系统刚度产生的误差原理与分析

根据对工艺系统受力变形的分析 ,阐述了工艺系统刚度对零件加工精度的影响 ,并简要提出了提高工艺系统刚度的办法     

气体栓塞演示实验

利用自制实验装置直观地演示了水在细管中流动，若有气泡存在时产生的气体栓现象。     

MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究

本文对ＭＣＴ的核心工艺－三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。