宁波材料所在CVD大块单晶金刚石合成技术方面取得进展

<正>中国科学院宁波材料技术与工程研究所"功能碳素材料团队"以实现金刚石精密工具的国产化和产业化为目标,最近在CVD(Chemical-Vapor-Deposition:化学气相沉积)单晶金刚石合成方面取得了突破性进展。团队从国产微波等离子体CVD设备设计改造着手,开发了高密度、高稳定性的金刚石沉积装置。与国外设     

屏蔽气体流速对同轴双管式氦气大气压等离子体射流粒子分布的影响

在大气压等离子体射流应用中,环境气体对射流流出物的影响不可忽视,尤其是在某些对环境粒子高度敏感的特定场景中.同轴双管式射流装置可用于抑制射流流出物与环境气体之间的相互扩散,从而控制射流流出物的化学性质.本文对同轴双管式氦气大气压等离子体射流在不同屏蔽气体流速下的放电特性和化学性质进行了数值仿真研究,并通过实验光学图像对仿真模型加以验证.结果表明,相比于没有屏蔽气体的情况,在高流速条件下放电得到增强,而在低流速下放电较弱;随着流速的增加,空间中的粒子数均随之增加,这可以归因于由屏蔽气体流速增加而产生的更宽的主放电通道.此外,不同浓度轮廓线上的离子径向通量受到流速的影响也存在很大差异.本研究进一步揭示了不同的放电位置对氮氧粒子产生的影响,加深了关于屏蔽气体流速影响等离子体射流放电行为的认识,并可能为等离子体射流的进一步应用开辟新的机会.     

玻璃通孔三维互连镀铜填充技术发展现状

随着摩尔定律的发展迟缓,微电子器件的高密度化、微型化对先进封装技术提出了更高的要求。中介层技术作为2.5D/3D封装中的关键技术,受到了广泛研究。按照中介层材料不同,主要分为有机中介层、硅中介层以及玻璃中介层。与硅通孔(through silicon via, TSV)互连相比,玻璃通孔(through glass via,TGV)中介层(interposer)因其具有优良的高频电学特性、工艺简单、成本低以及可调的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)等优点,在2.5D/3D先进封装领域受到广泛关注。然而玻璃的导热系数(约1 W·m^-1·K^-1)与硅(约150 W·m^-1·K^-1)相比要低很多,因此玻璃中介层存在着严重的散热问题。为得到高质量的TGV中介层,不仅需要高效低成本的通孔制备工艺,还需要无缺陷的填充工艺,目前玻璃中介层面临的挑战也主要集中在这两方面。本文首先介绍了TGV的制备工艺,如超声波钻孔(ultra-sonic drilling, US...     

黑影工艺在印制电路板中的应用

黑影工艺是与化学铜类似的一种导通孔直接电镀工艺.由于黑影工艺所提供的化学药水本身均不含甲醛、重金属和螯合剂等,所以黑影工艺是一种绿色环保的工艺,并可有效降低企业生产运行成本.同时黑影是涂覆工艺而不是氧化还原工艺(化学铜工艺),此工艺对于不同介电材料的表面活性不敏感,可处理各种金属化难度高的材料.随着PCB设计材料及孔型...     

阵列基板铜工艺不良研究

本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施.结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑.使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色.在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤...     

无铅细间距焊接工艺在LCD行业的应用

简要介绍了无铅焊接工艺的导入特点和与传统锡铅焊接工艺的主要区别,并对LCD行业的产品细间距引线焊接提出了多种工艺实现方法,同时指明了LCM实现无铅细间距焊接的工艺保证措施和改进方法.     

诺发系统有限公司(NOVELLUS)在VECTOR EXPRESS平台上推出可灰化硬掩模工艺技术

<正>诺发系统有限公司日前宣布开始销售用于生产的在VECTORExpressTM等离子增强化学气相沉积(PECVD)平台上实现的可灰化硬掩模(AHM?)工艺技术,目前这项技术正在申请专利。VECTOR     

辐射输运方程的统一气体动理学格式

辐射输运方程的数值模拟在天体物理、武器物理和惯性约束与磁约束聚变等研究中都起着非常重要的作用.在实际问题中,背景介质的不透明度系数决定了辐射光子在其中的传输行为.光性薄(不透明度系数小)的介质对辐射光子是透明的,光子与背景介质的相互作用弱,光子传输具有输运传播性质;而光性厚(不透明度系数大)的介质对辐射光子是不透明的,...     

LPCVD制备多晶硅薄膜的性能

对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究,重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响。在590～635℃沉积温度内,多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系,钝化性能随着沉积温度的增加先变优再变差;在250～1 150 cm³/min硅烷体积流量内,多晶硅薄膜的生长速率与硅烷体积流量基本呈线性关系,当硅烷体积流量为1 150 cm³/min时,钝化性能明显变差;随着多晶硅薄膜厚度增加,钝化性能先变优后稳定。使用优化后的工艺制备多晶硅薄膜样品并对其进行测试,测试结果表明样品的隐性开路电压为749 mV,饱和电流密度为1.46 fA/cm²,钝化性能最佳。     

半导体激光泵浦亚稳态氩气激光器实现激光振荡

采用基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器作为泵浦源,以电容耦合式射频激励Ar, He混合气体放电等离子体为增益介质,在双程纵向泵浦的结构下实现了连续波模式的912 nm的激光输出。