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41.
ISL54062是双0.5Ω SPDT开关,具有低导通电阻和低压操作的特点,可处理信号输入上的负电压信号。其工作电压为+1.8V~+6.5V,可传送低于正电压轨、最大摆幅达6.5V的信号。ISL54062和该系列的其他产品,包括ISL54063和ISL54064,带有Intersil的“咔哒”声消除电路。  相似文献   
42.
唐道济 《高保真音响》2009,(12):114-115
在音响设备中,为了获得较大的单端输出功率,常使用一些耗散功率较大的发射用电子管作声频输出管。这些电子管原是作高频放大、振荡及调制之用,如211、845等三极管,由于工作电压高,所以都是直热式敷钍钨灯丝,但这些电子管所要的激励电压很高,  相似文献   
43.
AS1116的工作电压为单2.7~5.5V,工作时最低仅需0.6mA供电电流,而关断模式下仅为200nA。其能以47mA/数字位电流来驱动8个7段数字位,或以5.5mA/LED驱动64个独立LED。能够很容易地通过一个外置电阻来设定电流。AS1116具有±3%的极佳精度,使LED及LED模块之间的亮度差异降至最小,从而提升了LED显示器的画质。器件还采用了一个4位PWM来实现全局数字亮度控制和16步长的数字位独立调光。  相似文献   
44.
现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.  相似文献   
45.
回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.  相似文献   
46.
AHEF系列有七个器件,它的关键参数包括额定保持电流从0.5~10A,最大故障电流额定值100A。该系列所有器件的额定最高工作电压是32V,与欧洲汽车电子设备的最大额定工作电压是一样的。所有器件的最高工作温度均为125℃,不仅可以用于载客车厢,也可以在安装发动机的空间中使用。  相似文献   
47.
全球领先的微控制器制造商爱特梅尔(Atmel)近日又推出AVR XMEGA微控制器(MCU)系列,这是其成功的AVR微控制器系列的重要新成员。AVR XMEGA的系统性能扩展了8位微控制器的市场领域,为8位微控制器市场提供全新参考标准。XMEGA采用了第二代Pico Power技术,是唯一真正使用1.6V工作电压的闪存微控制器。该系列器件的功耗超低,并具有快速12位模拟功能、一个DMA控制器、一个创新的事件系统,以及一个加密引擎,全部都无需占用CPU资源,能够最大限度地减少功耗和提高系统性能。  相似文献   
48.
49.
采用滴注法制备了氧化石墨烯薄膜进行激光光刻,通过显微观察证实了还原态氧化石墨烯的生成,根据薄膜的方阻测试确定了最优的光刻参数。然后,在非晶硅组件电池的背面制备氧化石墨烯薄膜,光刻出平面叉指状电极。5个单节微超级电容的超薄电极进行串联,具有高工作电压,实现了对光伏电能的存储。结果表明该储能器件具有高循环稳定性,50次充放电循环的容量保持率为99.85%。该研究为设计制作用于光伏组件的一体化储能系统提供了新思路。  相似文献   
50.
带防离子反馈膜的微通道板(micro-channe plate,MCP)是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的关键部件之一,其工作状态对负电子亲和势光电阴极微光像增强器的性能有严重影响,通过对无膜MCP及镀有不同厚度防离子反馈膜的MCP在不同阴极电压下、不同MCP电压下增益的测试与分析,最终确定出防离子反馈MCP的最佳工作电压:①对于负电子亲和势光电阴极像增强器用无膜MCP,其最佳工作电压为:当阴极电压大于一定值Vc1时,MCP增益几乎不变,说明此时的阴极电压Vc1为无膜MCP的最佳工作电压;当MCP电压为某一特定值Vm1(阴极电压为大于Vc1的任一值)值时,MCP出现增益,但增益值很低,当MCP电压大于(Vm1+100V)值时,MCP增益较大(大于20 000),可认为板压为(Vm1+100V)值为无膜MCP最佳工作板压;②对于同种材料的带膜MCP,其最佳工作电压为阴极电压Vc=无膜MCP的最佳阴极电压Vc1与防离子反馈膜的阈值电压的代数和,MCP电压为Vm > (Vm1+100V),具体值应根据防离子反馈MCP增益值的线性工作区来确定。该文的研究对防离子反馈MCP的最佳工作电压的确定及对负电子亲和势光电阴极像增强器性能的提高具有重要的意义。  相似文献   
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