高压晶体管协助开发更可靠的高能效电源

STx7N95K3系列功率MOSFET是一款950V的击穿电压级别产品，适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。高压电源设计人员还可以使用一个单一950VMOSFET取代双晶体管电路，从而简化电路设计，缩减尺寸，减少元器件数量。     

ISSI推出首颗128M中低密度DDRDRAM

Integrated Silicon Solution公司（ISSI）日前宣布推出其首颗128Mb的DDRDRAM芯片IS43R32400A。该芯片工作电压为2．5V，采用4M×32构成机制，刷新率为8K，传输速率为1．6Gbps。其应用包括各种需求量大的领域，如网络和通信设备、HDTV、LCDTV、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。     

50Hz工作电压下的电容器自动介损测试

本文针对50Hz中低压工作条件下的电容器介质损耗测试,探讨了电流比较法电桥的自动测试原理及其系统配合测试问题,提出了自动、快速、高精度的新型测试设备的要求和实用方案,是中低压电容器测试现场良好的品质管理方法之一.     

陷阱电荷对GMLM工作电压的影响

光栅平动式光调制器(GMLM)依靠可动光栅在静电力作用下向下反射镜移动,从而改变光程差,实现光调制.结构中siO2绝缘层在外加电场作用下产生陷阱电荷,对器件的驱动特性产生影响.作者依据高斯定理,建立GMLM存在陷阱电荷情况下的电力学模型,分析了外加电场作用下,GMLM极板电荷的分布,以及外加电压与可动光栅位移的关系;比较了两种情况下(考虑与不考虑绝缘层陷阱电荷影响)工作电压变化情况.设计了实验方案,进行了实验研究.结果表明:由于陷阱电荷产生陷阱电压,使得产生相同位移需要的工作电压增加;充电时间越长,陷阱电荷产生的陷阱电压越大;实验结果与理论分析吻合.     

爱特梅尔针对低功耗设计推出全球首款1.8V电压的8Mb Serial Flash

爱特梅尔公司(Atmel)宣布业界首款能够在1.8V电压下运作的8Mb Serial Flash器件AT25DF081,经已准备投产。全新的AT25DF081具有1.65V～1.95V的低工作电压范围,与许多现有和即将面市的采用亚90nm工艺的ASIC     

电源管理

LT3495/-1:低噪声升压型转换器Linear推出低噪声升压型转换器LT3495/-1,该器件具有集成的电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。LT3495使用650mA开关,而LT3495-1使用350mA开关。这两款器件都采用2mm×3mm DFN-10封装。2.3V至16V的宽输     

坚固型600V三相栅极驱动器IC

IRS26310DJPbF把功率MOSFET和IGBT栅极驱动器与三个高压侧及三个低压侧参考输出通道集成在一起,在20V MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下,可提供200mA／350mA的驱动电流。其整合了集成的自举二极管,可提供全面的保护功能,包括改进的负电压尖峰（Vs）免疫电路,以防止系统在大电流切换或短路情况下发生灾难性事件,实现更高水平的耐用性和可靠性。     

Ramtron速度更快功率更灵活1Mb并行F—RAM

Ramtron推出全新并行和串行F—RAM系列中的首款并行产品,提供更高速的读／写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。Ramtron的V系列F—RAM产品中的最新器件FM28V100,是1兆位（Mb）、2．0-3．6V的并行非易失性RAM,采用32脚TSOP—I封装,具备快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中,由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。     

VCC、VDD和VSS的区别

一、解释VCC:C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压VDD:D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压;VSS:S=series表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压。     

电力系统运行状态下抗高压脉冲干扰评估

在系统运行与不运行状态下,线路绝缘子因高压脉冲而产生闪络和损伤现象的研究结果显示,脉冲干扰和系统工作电压的共同作用将对电力系统带来灾难性的威胁。而在电力系统中,高压变压器是非常重要并且昂贵的设备。本文给出了一些针对变压器在脉冲干扰和系统工作电压共同作用时的试验方法。