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301.
《电子工业专用设备》2006,35(10):35-35
宾夕法尼亚、MALVERN讯:Vishay Intertechnology,Inc.宣布推山新型2.4GHzISM收发器模块系列,该系列器件支持7个工作信道,每个信道均具有独特的直接序列扩频(DSSS)代码。这些模块实现了多种功能的独特结合,例如高数据速率、广阔的工作电压及温度范刚等。这些新型模块面向各种无线应用,其中包括负载传感器与称重系统、应变计、传感器、IP语音及音视频系统。 相似文献
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Cree的SiC MESFET及GaN(on SiC)HEMT微波功率放大器件:SiC MESFET/CRF240xx:频率为DC~2.7 GHz、工作电压为28~48 V,输出功率为10/60 W两档。宽带、高可靠及耐高温性能优异。GaN HEMT/CGH400xx:GaN HEMT的宽带系列,频率为DC~4 GHz(CGH40010、CGH40025及CGH40035为6 GHz),工作电压为28 V,输出功率有10/25/35/45/90/120/180 W七档。宽带性能优异,可靠及耐高温性能好,产品 相似文献
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306.
Renesas公司的RX62T是100MHz 32位RX CPU内核的MCU,在100MHz时具有165DMIPS性能,单精度32位IEEE-754浮点,累加器能从32×32位运算中处理64位结果,乘法和除法能处理32×32运算,具有快速中断功能,CPU工作电压3.3V或5V,主要用在马达控制、通用逆变器等。100MHz 32位RX微控制器,FPU,165 DMIPS,12位ADC(3 S/ 相似文献
307.
基于标准CMOS工艺的n+源/漏区和p-sub,设计 了一种楔形n+pn+ 结构的硅基发光二极管(Si-LED)阵列,并经UMC 0.18μm 1P6M CMO S工艺制备。 测试结果表明, 设计的Si-LED 在 0.9~1.5V范围内正常工作,与CMOS电路的电源电压兼容,其发光 峰值波长在1100nm附近;注 入电流为390mA时,器件的发光功率可达1800nW,平均功率转换效率为3.5×10-6 。由于工作电压低、发光功率高,设计的LED器件有望在光互连领域得到广泛应用。 相似文献
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稳压二极管(又名齐纳二极管)简称稳压管,顾名思义它是一种专门用来稳定电路工作电压的二极管。我们知道,当普通二极管外加的反向电压大到一定数值后,反向电流会突然增大。将管子损坏,这种现象叫做“击穿”。但是由于稳压二极管内部构造的特点,它却正适合在反向击穿状态下工作,只要限制电流的大小,这种击穿是非破坏性的。这时尽管通过稳压二极管的电流在很大范围内变化,但是稳压二极管两端的电压几乎不变,保持稳定。 相似文献