薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流

在对体硅MOSFET高温泄漏电流研究的基础上,深入研究了SOI材料MOSFET泄漏电流的组成、解析式及高温模拟结果,并与体硅MOSFET进行了比较,证明薄膜SOI材料MOSFET的高温泄漏电流明显减小,因而在高温领域中有着广阔的应用前景。     

高温超导复合材料界面电阻对临界电流密度Jc测量的影响

以银套管Ｂｉ系高温超导带为例，讨论了界面电阻和派生的电流分流效应对Ｊｃ测量值可能产生的影响，着重指出，Ｊｃ测量值与失超判据的选择、电流、电位引线之间距离和分流长度的相对大小有关。为获得正确的测量结果，应将电位引线设置在非分流区内。     

用PC机实现晶体管特性图示仪

文章利用ＩＢＭ－ＰＣ／ＸＴ微机及一些硬件电路构成三极管测试系统，文中着重介绍了阶梯信号的产生，压控电流源及信号采集等硬件电路。     

改善ZnO压敏元件温度特性的研究

从实验上探索了降低ＺｎＯ压敏陶瓷元件泄漏电流温度系数的途径和方法，研制了特殊添加物，在通常的ＺｎＯ压敏瓷料中添加适量特殊添加物，可以改变ＺｎＯ压敏陶瓷泄漏电流的温度特性，达到降低泄漏电流温度系数的目的。泄漏电流随温度变化在３１～３４°Ｃ出现极大值可能是杂质离子对电子的散射作用所致。     

电流表测电流时用补偿法消除电流表内阻的影响

用电流表测量电流，由于其内阻RA不为零，所以在用电流表测量电流时，会引入B类不确定度，其计算公式为ΔI/I′=（I-I′）/I′=RA/R等效。式中I为没接电流表时电路中的电流值，I′为电流表读出的电流值，R等效为以电流表为考察点的电路的等效电阻．显然，引入的B类相对不确定度取决于RA/R等效，若能RA为零，其不确定度就为零，但对于一块给定的电流表其内阻RA不可能为零．为了消除此类不确定度，可以用补偿法消去电流表内阻的影响．     

有关纳米管的三则信息

科学家能制造出多长的碳纳米管呢?一般认为很难超过几微米．但中国科学院物理研究所解思深研究员率领的科研小组在上个世纪90年代便制作出了当时世界之最3毫米长的碳纳米管．现在，以美国洛斯．阿拉莫斯国家实验室朱允阗(Yuntian Zhu)为首的小组却制作出了4厘米长的碳纳米管．这一科技成果暗示在碳纳米管的制作上基本没有长度的限制．     

雷达天线伺服系统中电流环路参数设计方法

电流环是实际雷达伺服系统中重要的一个环节，电流环的设计直接关系到整个系统的稳定、准确和快速性。本文阐述了可控硅直流调速系统电流环的设计思路和方法。     

零偏压光激发瞬态电流谱及电子空穴陷阱的判断

<正> 光激发瞬态电流谱(OTCS或PITS)已被广泛用于半绝缘半导体材料中的深能级研究,但仍存在一些待解决的问题。本文分析了Martin等提出的陷阱类型判断方法中可能存在的不确定性,提出用零偏压光激发瞬态电流谱(ZBOTCS)中峰的正、负来判断陷阱的类型,并对正峰和负峰的成因进行了讨论。实验中所用的样品是GaAs:Cr,电极为烧结(?)电极或半透金膜,光源为He-Ne激光器或经单色仪获得的单色光,信号由Boxcar采样收集。