OFDM技术及其应用

首先对OFDM的发展以及应用做了简要的介绍,然后讨论了当前OFDM研究过程中的两个关键技术问题,最后展望了OFDM的未来发展。     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

Extended Power Law Nonlinear Response and Amplitude-Dependent ac Susceptibility of High-To Superconductors

We show a nonlinear materials equation of superconductors in the form of an extended power law which can be derived from the Ginzburg-Landau (GL) functional. The critical current Jc and ac susceptibility X are analysed by using this equation, and the puzzling question of the increasing height of the out-of-phase susceptibility peak Xpeak with increasing amplitude hac is explained.     

C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

多气隙电阻板室抗辐照性能研究

给出了为RHIC-STAR飞行时间探测器设计的多气隙电阻板室(MRPC)的辐照实验结果. 实验采用100mCi⁶⁰Co γ源, 采用不同的剂量率对MRPC进行辐照. 一个室在大剂量率2.87×10^－2Gy/h下辐照了24h后, 其性能如噪声计数率, 暗电流等均大大退化. 另一个室在相对低剂量率5.31×10^－4Gy/h下辐照了530h, 其性能没有见到任何变坏. 实验的目的是为了了解这种探测器在几年的运行中经过大剂量的辐照后的性能变化情况.     

20安培大电流自动充电器的研制

本文介绍用LM396电压调节器产生20安培大电流自动充电器的研制原理。     

光纤光栅的长度对其峰值反射率的影响

利用耦合模理论,数值分析了当光纤光栅(FBG)折射率变化为均匀分布、直流切趾高斯分布时,光纤光栅长度对其峰值反射率的影响。研究结果对光纤光栅外腔半导体激光器的设计和性能优化具有重要的意义。     

表面传导电子发射显示器件电场分布的理论研究

利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型，对内部电场强度和电势进行了深入研究，推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性，利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟，从理论上对模拟曲面给出了合理的解释，分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为，并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比，解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内，本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致. 关键词： 表面传导电子发射显示 遂穿效应 面电荷密度 电场强度     

磁电子学器件应用原理

本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。