基于EWB的D/A数模转换器的仿真研究

阐述了D／A转换器的仿真原理，给出了T形电阻网络D／A转换器仿真模型的构造方法，并采用EWB进行了系统仿真，仿真结果表明该方法是合理、可行的。     

绝缘电阻的数字测量

介绍如何利用AD674A来完成绝缘电阻的数字测量，阐述了硬件结构与软件设计。     

芯片封装引线电性能的测试

随着集成电路的高速化、高集成化、高密度化封装的发展，封装引线的电性能对集成电路的影响越来越大，封装引线电性能的测试与控制也越显重要。     

自适应比例因子模糊控制器在异步电动机调速系统中的应用

为了降低转子电阻变化对异步电动机矢量控制系统性能的影响，本文把自适应比例因子模糊控制器应用到了矢量控制系统中。介绍了自适应比例因子模糊控制方法的綦本原理，给出了使用自适应比例因子模糊控制器的异步电动机矢量控制系统的结构框图，对主模糊控制器和辅助模糊控制器进行了设计。仿真实验结果表明，采用这种控制方法的调速系统不仅具有优良的动态性能，而且对转子电阻变化具有很强的鲁棒性。     

2003年的诺贝尔物理奖

2003年的诺贝尔物理奖授予了低温物理领域的三位物理学家，他们是Alexei A、Abrikosov(阿布里柯索夫)，Vitaly L．Ginzburg(京茨堡)以及Anthony J．Leggett(莱格特),此奖用以表彰前两者在超导电性方面的贡献，后者为在超流方面作出的贡献.大家知道，自然界中的微观粒子服从量子力学规律；     

MRAM:内存的新潮流(下)

Freescale所提供的MRAM替代性方案 在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体（synthetic antiferromagnet，SAF）三明治结构，由两个反向对准的铁磁材料层以及两层材料之间所夹的一层非磁性材料耦合隔层而组成。图2示出了一个SAF位单元。SAF三明治结构产生磁致电阻效应的能力并不会因为它的混合式结构而受到影响。对准和反对准只取决于MTJ结构两侧相对的两层材料。将两层板材组成SAF，就可以让每层板变成“磁矩平衡”-净外磁场为零。     

Electrical Resistance Measurement of an Individual Carbon Nanotube

Aiming at the difficulty in the electrical resistance measurement, we develop a simple statistical model for the carbon nanotubes adequately dispersed in available insulated liquid and introduce the concept of “the most probability”. Based on this model, we obtain the function between macroscopic resistance R and resistance of an individual nanotube, Ro, from which one can calculate the resistance of an individual nanotube by measuring the macroscopic resistance. By computational simulation, we prove the reliability of the model. Then, we analyse the feasibility of the model when applied to experiment.     

用普通数字万用表测量低阻的方法

<正> 在电气维修中,经常需要检查电机线圈、变压器绕组的短路或局部短路故障,测量开关、继电器或接插件触点的接触电阻等。这些都需要进行低阻测量。而多数的3 1/2位数字万用表,例如DT830、DT890等,都不具备这种测试功能,其200Ω电阻挡的分辨率为0.1Ω,只能测量0.1Ω-199.9Ω的电阻。为此笔者在实践中总结出一种用这类数字万用表测量低阻的方法,即“电压比较法”。此法简单实用,且测量低阻的能力强(一般可以较准确地测量0.01Ω～1Ω的小电阻值,并且还可以估测0.001Ω～0.01Ω的超低电阻值)。其测量范围完全可以满足我们在电气维修工作中测量低阻时的需     

YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散

基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较. 关键词：     

真空灭弧室触头和屏蔽筒

真空灭弧室有一铜铬触头和铜铁屏蔽筒。触头包括铜铁非邻接部分（１６）和厚度为触头５０％的铜铬邻接部分（１８），该铜铬层（１８）可能亦含铋、锂、镁。屏蔽筒（２０）由铜、铁、０－３０％铬（屏蔽筒成份中铁铬总量低于６０％）组成。触头可烧结或挤压成形。屏蔽筒可烧结、挤压、铸造而成形或者用等离子溅射法或激光等离子溅射法在管道内表面沉积而形成。