光伏并网逆变器的高效控制器设计

提出了一种基于效率的新型光伏并网逆变器控制器,在这种新型的控制器中,直流侧电压不再是常量,而是被控制在可能的最低值.理论分析和实验结果证明这种新型控制策略能够提高系统整体效率.     

65纳米硅衬底上低损耗带屏蔽的共面波导传输线建模

共面波导传输线可以用作毫米波频段片上的高品质因子的无源器件。在这篇文章里,采用CMOS 65nm工艺设计和制造了加地线屏蔽和不加地线屏蔽的共面波导传输线。本文提出一个基于物理的模型来描述传输线单位长度的频率相关的电感、电容、电阻和电导参数。从基本的共面波导结构出发,模型里加入了慢波效应和底线屏蔽效应的影响。实验数据表明模型有很高的准确度。     

Potential of asymmetrical Si/Ge and Ge/Si based hetero-junction transit time devices over homo-junction counterparts for generation of high power

Static and dynamic properties of both complementary n-Ge/p-Si and p-Ge/n-Si hetero-junction Double-Drift IMPATT diodes have been investigated by an advanced and realistic computer simulation technique, developed by the authors, for operation in the Ka-, V- and W-band frequencies. The results are further compared with corresponding Si and Ge homo-junction devices. The study shows high values of device efficiency, such as 23%, 22% and 21.5%, for n-Ge/p-Si IMPATTs at the Ka, V and W bands, respectively. The peak device negative conductances for n-Si/p-Ge and n-Ge/p-Si hetero-junction devices found to be 50.7 ? 10⁶ S/m² and 71.3 ? 10⁶ S/m², which are ～3-4 times better than their Si and Ge counterparts at the V-band. The computed values of RF power-density for n-Ge/p-Si hetero-junction IMPATTs are 1.0 ? 10⁹, 1.1 ? 10⁹ and 1.4 ? 10⁹ W/m², respectively, for Ka-, V- and W-band operation, which can be observed to be the highest when compared with Si, Ge and n-Si/p-Ge devices. Both of the hetero-junctions, especially the n-Ge/p-Si hetero-junction diode, can thus become a superior RF-power generator over a wide range of frequencies. The present study will help the device engineers to choose a suitable material pair for the development of high-power MM-wave IMPATT for applications in the civil and defense-related arena.     

图形测试:多工位模拟和混合信号器件并行测试效率的关键

1介绍多工位测试是大多数模拟和混合信号器件生产厂家大批量测试的基石.随着并行测试工位数的提高,模拟和混合信号器件测试系统的设计人员需要     

28 nm芯片设计迫使企业快跑

SoC设计的步伐越来越快。微捷码设计实现业务部市场副总裁Robert-Smith先生深有感触地说,以苹果公司为例,他们最近宣布将与网络运营商Verizon在2011年1月推出CDMA版iPhone手机。这样,从2007年1月第一款iPhone推出以来,苹果公司在4年间共计推出5款不同类型的手机,而且这些手     

利用IC烧录服务提高生产效率

IC烧录越来越得到重视,因为它不仅关系到Ic的应用和保密控制,而且对系统厂商的生产成本和效率有着重要影响。随着IC的不断更新,对应的IC烧录器也不断升级,系统厂商如果持续跟进则不得不无止境地投人更多的成本和精力,于是越来越多的系统厂商开始向寻求IC代烧服务转变。     

创新双级拓扑结构瞄准大功率LED照明应用

创新性大功率LED照明拓扑结构正逐步登场。TI最新的UCC25710采用双级驱动方式,从效率、成本、可靠性和EMI等方面优化了传统大功率LED照明驱动技术,变压器恒流方式是其中亮点之一。作为新型节能技术,LED照明备受关注。在LED照明系统中,驱动芯片起着非常重要的作用。较早     

转换效率高达41.1%的多层太阳能电池

<正>据有关媒体报道,德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)的科研人员研发出了转换效率高达41.1%,几乎是传统硅太阳能电池两倍的太阳能电池。这种电池采用了太阳能电池堆叠技术,使整个太阳光谱都可用于能源生产。     

装联工艺中低频电缆组件的电磁兼容问题

随着电子信息技术的发展,越来越多的电子设备系统都有电磁兼容性要求.低频电缆组件作为电子设备的组成部分,其电磁兼容问题尤为重要.从线缆的选取、导线屏蔽层的处理和电缆屏蔽层与机箱的搭接三方面论述了电缆组件制造和与系统装联时应遵循的电磁兼容工艺要求,并介绍了一些行之有效的工艺处理方法.     

单模光纤与SOI纳米线波导耦合设计

波导光栅在集成光学发展中扮演着重要的角色。与其他的耦合方法相比,光栅耦合器具有耦合效率高、制备封装成本低、无需芯片端面抛光、可以在任何地方实现信号输入输出等优点,成为纳米光波导最有潜力的耦合方法。本文提出利用OPTIFDTD软件仿真结合MATLAB编程的方法精确计算光栅耦合效率的新方法。仿真分析了光栅的周期、槽深、占空比、SiO2层厚度等光栅参数对耦合效率的影响,并给出了使输入光栅耦合器耦合效率达到42.6%;输出光栅耦合器的耦合效率达到72.3%的一组最佳光栅参数。