异质谷间转移电子器件的计算机模拟

使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组，得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Ｇｕｎｎ器件相反，说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Ａｌ组份势垒结构的计算说明了Ｘ谷电子注入对器件工作的重要作用。     

深亚微米条件下的多层VLSI／MCM层分配的遗传算法

本文提出了一个深亚微米条件下的多层ＶＬＳＭＣＭ有约束分层层分配的遗传算法。该算法分为两步：首先进行超层分配，使各线网满足Ｃｒｏｓｓｔａｌｋ约束，且超层数目最少；然后进行各超层的通孔最少化二分层。与目前的层分配算法相比，该遗传算法具有目标全面，全局优化能力强等特点，是一种可应用于深亚微米条件下的ＩＣ ＣＡＤ的有效分层方法。     

介电多层膜与人工介电超晶格的研究

近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和性能的研究状况，讨论了进一步研究需解决的问题。     

微波立体平面电路谐振器与耦合谐振器的设计

本文根据立体平面电路的短路终端理论，用优化方法，在给定矩形波导尺寸ａ和ｂ，立体平面电路谐振器间的耦合系数ｋ，谐振频率ｆ与平面电路金属片厚度ｔ的情况下，设计出谐振器的其它尺寸。对设计的样品进行测试，其长度与谐振频率（ｌ－ｆ）曲线及耦合系数与耦合宽度（ｋ－Ｗ）曲线的实验值与设计值基本一致。     

LD激光与单模光纤耦合时的失准容忍度分析

本文导出了ＬＤ激光与带端面微透镜的单模光纤直接（ＳＭＦ）耦合时的失准容忍不容量－失准容忍面积，并指出横向与角向的中心失准容忍度分别与ＬＤ的模斑尺寸，ＳＭＦ模斑对应的远场发散角成正比，而横向和角向的最大失准容忍量却分别与ＳＭＦ的模斑尺寸，ＬＤ的远场发射角成正比，最大失准容忍量是中心失准容忍量的Ｋ倍。     

Ni-Si多层膜中固态非晶化反应的热力学与动力学过程

研究了Ni/非晶Si(a-Si)多层组分调制膜(ML)中界面上的固相反应。根据计算的亚稳自由能图,对界面上固相反应形成非晶态进行了热力学与动力学的分析。提出了Ni/a-Si多层膜中的固相反应的动力学模型。 关键词：     

矩形介质波导阵列的一种新型分析方法

本文将等效介电常数近似分析方法在应用范围和处理方法上进行了一些改进．发展为双等效介电常数近似分析法，然后用它来分析矩形介质波导阵列．推得两个一维周期的耦合特征方程。如果将Macatili方法应用范围扩展用来研究该波导阵列也会得到同样的结果，它们都能在二维平面上较准确地反应出通带和阻带等主要周期特性。     

横向放大率法确定复合光学系统的基点

介绍了应用测量横向放大率确定两薄透镜组成的复合光学系统基点的方法。由于采用线阵光电耦合器件（CCD）测量物经光学系统成像的横向放大率，提高了测量精度。     

高功率弯波导TE01-TM11模式变换临界角分析

在模式耦合理论的基础上，采用传统的波导轴线圆弧弯曲的方法，对TE01－TM11模式变换器的临界角进行了全面的优化分析。得出在临界角情况下，若考虑多模因素，则不能使TE01－TM11的能量发生全转换，而真正的最优化能量全转换角在临界角的附近，且转换的效率与弯波导曲率相关。     

硅基红外信平面阵列技术的新进展（Ⅱ）

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，ＰｂＳｎＳｅ，ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。