柴油机曲轴和轴瓦的磨损失效分析

柴油机曲轴和轴瓦的磨损是导致柴油机使用过程中发生故障或失效事故的最常见的原因之一，其中，固然诸如润滑不良、过载、杂质污染等，使用方面的问题也是导致局部磨损的重要因素，但是曲轴和轴瓦的设计制造质量，则是决定轴件磨损寿命和系统运行稳定性的关键因素。     

免清洗焊剂真的无需清洗？

使用免清洗焊剂意味着没有清洗的必要吗？一般而言，如果遵循规则进行焊接，免清洗残余是无害的，不需要清洗。但是，有些情况下，免清洗焊剂可能有害，应该从印刷电路组件(PCA)上清除掉。不知怎么回事，我们这个行业似乎已然将免清洗焊剂残余在任何情况下都无需清洗这种说法当成事实接受了。这种说法，与其说是事实，不如说是神话。它会带来一些长期性的问题。     

小型光电跟踪系统数据接口设计

小型光电跟踪系统内部数据交换较为复杂，数据接口设计实时性要求很高，且工作现场由于电子设备较为集中，存在较强干扰。为此以控制器局部网（CAN)为基础，构成了开放式的系统数据交换平台，通过CAN协议对通信数据块编码，扩展数据节点，设置节点筛选器。不仅满足本系统内部要求，而且满足了不同应用场合外扩数据节点的要求。文中还根据火控光电仪内部各分系统特点，简要分析了不同数据节点的数据接口硬件设计和软件设置。     

局部散射源参数估计的非线性算子方法

本文利用单次快摄数据的两个非线性算子估计局部散射源中心波达方向和角扩展,与多维参数搜索和其他低复杂性的局部散射源参数估计算法不同,非线性算子方法给出了单次快摄的局部散射源参数估计的闭式解,无需进行多维搜索和子空间分解。     

非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT

Ga N有较 Ga As更宽的禁带、更高的击穿场强、更高的电子饱和速度和更高的热导率 ,Al Ga N/Ga N异质结构不仅具有较 Ga As PHEMT中Al Ga As/In Ga As异质结构更大的导带偏移 ,而且在异质界面附近有很强的自发极化和压电极化 ,极化电场在电子势阱中形成高密度的二维电子气 ,这种二维电子气可以由不掺杂势垒层中的电子转移来产生。理论上 Al Ga N/Ga N HEMT单位毫米栅宽输出功率可达到几十瓦 ,而且其宽禁带特点决定它可以承受更高的工作结温 ,作为新一代的微波功率器件 ,Al Ga N/Ga N HEMT将成为微波大功率器件发展的方向。采…     

Ku波段10W功率PHEMT

报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。     

高维电报方程的对称周期解

讨论n维电报方程的对称周期解．利用Schauder不动点定理，在非共振条件下给出了一个存在性定理．     

微机电系统及其应用

1 引言请想像这样的景像，用微小的机器干各种活。有的使汽车运行更加平稳安全，免除交通事故中千万人遇难。有的则以每秒数拍（1015比特）速率处理信息，从全球网站为人们下载影视节目。另一些能以前所未有的灵敏度和精确度进行科学测量。晶片大小的化工厂则能在需要的时间和地点制造危险的材料。这样的景像现已出现：我们正生活于其中，这就是现代的硅微机械世界[1]。这个世界在40多年前就由Richard Feynman以惊人的先见所预言，当时晶体三极管仍是刚发明而未被验证的技术，集成电路则在多年后才出现。在其1959年的讲话“底层仍有许多空…     

系综分布和它的小涨落近似

由“从正则分布出发，在小涨落近似下得出的能量涨落分布公式”求得的能量涨落的二次矩与直接由正则分布求得的二次矩完全相同，但分别由二求得的高次矩并不完全相同。     

非磁杂质对高Tc超导电性的影响

本文证明了在氧化物高T_c超导体的Anderson晶格模型中,由于序参量是能量的函数,非磁掺杂也具有拆对效应,在稀掺杂情况下,求出了T_c随杂质浓度增加而线性下降的规律,与实验结果相符,文中还计算了掺杂对超导态密度中能隙的影响,结果表明,当非磁掺杂浓度增加时,零温能隙的减小比T_c的下降慢得多,从而在转变为正常态之前可能不出现类似通常BCS超导体磁性掺杂的无能隙区。 关键词：