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家庭网络标准化的进展情况 总被引:1,自引:0,他引:1
详细介绍了家庭网络相关的国际和国外先进标准化组织的研究重点、项目及标准制定情况,以及中国正在开展的相关标准化活动的组织情况及研究成果。 相似文献
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在熬过2009年的低谷之后,全球PCB市场将再次迎来一个新的发展,开始另一个发展、高峰、衰落、低谷的PCB市场循环。冬天已经到了,春天还会远么? 相似文献
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采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索. 相似文献
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通过对柳州职业技术学院电子商务专业毕业生就业率和在校生就业意向进行调查,改革人才培养模式,以提高电子商务专业就业质量。 相似文献
87.
报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收. 相似文献
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2007年下半年,索尼与尼康先后推出了各自的准专业级重头产品——索尼a700与尼康D300数字单镜头反光照相机。我有幸试用了这两款照相机,感触颇深。现有这两款数码照相机试用情况和相关资料笔录于下,供影友们参考。 相似文献
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