三星SGH-T408手机原理简介

三星T408手机在市场占有一定的数量，本文介绍一下三星T408手机的工作原理，供读者在使用和维修过程中作为一个参考。一般来说，GSM手机电路分为两大部分，一是射频电路，二是音频／逻辑电路。而电源供电电路既可归入逻辑控制电路，也可以作为一个独立的电路系统。以下逐一介绍这三部分。     

中国RFID市场起飞 政府为主要推手

由于相关政策、标准、芯片、硬件、软件和应用都有重大进步，2006年对于中国射频识别（RFID）市场来说，是标志性的一年。     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

英飞凌推出搭载集成8位微控制器的单片多频带UHF发射器系列

英飞凌科技股份公司近日推出适用于无线控制应用的下一代高度集成化发射器集成电路。 全新SmartLEWIS MCU PMA71xx系列的所有型号，都装有一颗适用于1GH2 SM子频的ASK／FSK多频带发射器，以及通过特定的嵌入式混合信号外设增强的8051微控制器。内装SmartLEWIS MCU的遥控器可采用无线射频（RF）技术取代目前常用的红外（IR）发射技术，克服视距通信的缺点。     

预加重和均衡技术在高速背板设计中的应用

着重介绍了高速背板设计中的趋肤效应，介电损耗噪声，阐述了预加重和均衡技术在工程中的应用，并得到了较好的效果：噪声、误码、抖动、眼图模板等均达到理想效果。     

射频激励扩散型冷却阵列波导CO2激光器技术

本文介绍了目前国内外研究者们提出的各种射频激励相干阵列波导ＣＯ２激光器技术，讨论了射频激励相干阵列波导ＣＯ２激光器技术的一个研究方向。