对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。     

射频振荡器MAX2620及其应用

本文介绍了美国MAXIM公司生产的射频振荡器MAX2620的性能特点、内部结构、引脚功能、工作原理以及应用设计过程，并给出了典型应用电路。     

从锁模脉冲序列中先后选出两个单脉冲的同步研究

采用再生放大腔内的短程放大,利用硅光导开关的长的复合时间,实现光导后产生快上升和下降时间、宽度可调的千伏电脉冲,完成从锁模脉冲序列中先后选出两个单脉冲,这两个单脉冲同步精度高、运转稳定。     

薄膜开关的设计与应用

薄膜开关又称膜片开关或薄膜键盘。它是80年代初期发展起来的一种新型电子器件,使电子产品外观结构引起根本性变革。它可以取代常规的分立元件的按键,更可靠地执行操纵系统的任务,现已广泛地应用于各种电子产品上。一、薄膜开关的结构与性能薄膜开关一般由面板层(触摸式面板)、上电路、隔离层和下电路组成,各层之间用强力压敏型不干胶粘结,成为一个密封的整体。典型的薄膜开关的结构如图1所示。 (1)面板层面板层是由具有一定韧性及耐磨性的塑料薄膜制作的。一般可使用聚碳酸脂(PC)、聚氯乙烯(PVC)以及聚脂(PET)等材料。 (2)上电路和下电路(图1中2、4)柔性薄膜开关的上下电路是用具有良好导电性能的导电油墨印制在绝缘性极     

基于LiCo0.8M0.2O2 (M=Ni,Zr)薄膜的全固态薄膜锂电池

用射频磁控溅射结合传统退火的方法制备LiCo0.8M0.2O2 (M=Ni,Zr)阴极薄膜．X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜等手段表征了不同掺杂的LiCo0.8M0.2O2薄膜．结果显示,700℃退火的LiCo0.8M0．2O2薄膜具有类似α-NaFeO2的层状结构．通过对不同掺杂锂钴氧阴极的全固态薄膜锂电池Li／LiPON／LiCo0.8M0.2O2的电化学性能研究表明,电化学活性元素Ni的掺杂使全固态电池具有更大的放电容量(56μAh／cm2μm),而非电化学活性元素Zr的掺杂使全固态电池具有更好的循环稳定性．     

机械式光开关市场定位及需求

简述了传统机械式光开关的现状 ,并从工作原理、结构及加工工艺等方面给出了其性能、零部件外型体积及光学指标 ;分析了传统机械式光开关的市场定位、市场需求以及它在当前光网络中的应用。     

退火温度对低温生长MgxZn1－xO薄膜光学性质的影响

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出Mg_xZn_1-xO(x=0.16)薄膜，用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对Mg_xZn_1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示，Mg_xZn_1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构，并且具有沿c轴的择优取向；随着退火温度的升高，(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大，(002)XRD峰半高宽(F 关键词： xZn_1-xO薄膜')" href="#">Mg_xZn_1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火     

电阻可编程温控开关AD22105及其应用

AD2 2 10 5是AnalogDevices公司生产的固态温控开关 ,该器件仅需外接一只可编程电阻 ,就能在 - 40～ + 15 0°C的工作温度范围内设定的任一温度点上进行精确的温度控制或指示 ,低电压工作特性使它很适合工作于电池供电的便携式应用场合。文中介绍了AD2 2 10 5的主要特性、引脚功能、内部框图及温度编程方法 ,并给出了与单片机和其他器件的接口方法