深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.     

CMOS模拟开关在准多线测量中的应用

已有不少文章介绍了在普通示波器(单踪或双踪)上增加一块附加线路装置以实现多路信号的同时测试,但往往存在下列问题:1.示波器一次扫描中连续显示几路输入信号;2.不能准确的观测各信号间的相位关系;3.输出与输入无确定的定量关系;4.工作可靠性差(当嫁接某路输入信号的直流电平为极限值时很易烧坏器件);5.线路复杂造价高。笔者为了教学实验与科研的需要对此问题进行了研究,设计调试出一种对多路输入信号参数可测性强、工作可靠、线路简单的附加线路,把它与单踪示波器(例SBM-10A)配合后可以准确地进行模拟与数字电路(或系统)的实验与测试。一、测试原理测试原理见图1。图中各方框的作用如下: 地址编码器:相应于每一路输入产生一代码,以便多路开关根据代码的不同选择一路输入信号。实际上地址编码器为一计数器,它对示波器的输出脉冲(与扫描锯齿波同周期,且下降沿对应扫描的起始时刻,上升沿对应回扫)在回扫时刻进行计数,计数器的状态即为     

Cr^4＋：YAG可饱和吸收特性测量

测量了Cr4+:YAG材料的可饱和吸收特性,用多种数据分析方法处理了实验结果,Cr4+:YAG的基态吸收截面σgs=11×10-19cm2,激发态吸收截面σes=1.2×10-19cm2。     

半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用

介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。     

PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C：F，研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系，测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数，并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分，发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关，其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。     

“射频自动循环切换器”效应和制作

“射频自动循环切换器”效应和制作李龙祥，焦实诚（湖南省宜章县广播电视局）“射频自动循环切换器”是应用定时键控电视机频道转换，达到自动循环切换接收频道的器件。也是我局科技人员最近研制成功的、成本低并具实用价值、能自动循环帮助监视各套有线电视节目播出质量...     

开关电流技术：一种新的模拟抽样数据处理方法

开关电流（ＳＩ）技术是一种新的模拟抽样数据处理技术，介绍了开关电流电路的基本单元结构，讨论了目前开关电流技术中存在的问题及其解决方法。对开关电流技术与开关电容技术的一些基本特征进行了比较，ＳＩ技术不仅结构简单，而且与标准ＣＭＯＳ工艺兼容，可望替代开关电容电路。