电化学电容器充放电循环的微机测试系统

为了更好地评价电化学电容器的充放电循环寿命性能,采用恒定负载法进行充放电试验。测试系统硬件由微机和数据采集卡以及取样控制电路组成,应用软件的开发工具采用VB6.0,在Windows 2000操作系统下运行。系统除了能自动完成电容器充放电循环寿命试验外,还具有实时显示电容器充放电电流变化曲线,并将每个充放电循环周期的电流数据以文件的形式自动保存下来等功能。     

激光二极管测试系统

ILXLightwave公司推出了适用于检测激光二极管的LTS 930 0型寿命 /老化测试系统。该系统支持 1 4管脚蝶形封装的激光二极管。系统的模块设计可完成现场升级 ,并可根据新型载体上芯片而特殊设计温控部分。任选件包括 :相对或绝对功率测量器件、只加热或加热 /致冷系统 ,此外还包括具有ActiveX程序设计工具的综合功能软件包。其水冷却系统可将温度保持在 5℃ ,甚至在使用 1 6个泵浦激光二极管、工作电流为5A时亦可维持这一温度。此外 ,LTS 930 0型测试系统还可用于驱动高功率泵浦激光器中的高电流珀尔帖致冷器件。 (No .1 8)激光二极管…     

超快荧光光谱的光谱特性和时间特性的研究

飞秒脉冲激光器和时间分辨率优于 2ps的条纹相机相结合测量超快荧光光谱的光谱特性和时间特性 ,分析了荧光光谱的产生 ,给出了时间分辨荧光光谱的测量 ;实际测量了一种有机光盘存储记录材料偶氮染料掺杂薄膜的时间分辨荧光光谱和荧光寿命。     

电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展

文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。     

表面光电压技术在Si外延过程中的应用

介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一p型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、HCl、SiHCl3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源。     

基于寿命周期成本管理的输变电设备状态检修方法分析

文章对输变电寿命周期成本管理内涵进行分析,并基于寿命周期成本管理对输变电设备状态检修方法进行研究,最后结合实例进一步了解和掌握检修方法,旨在为输变电状态检修提供更多支持.     

质子衰变实验进展

按照粒子物理标准模型理论,重子数是绝对守恒的.而大统一理论(GUTs)明确地否定了重子数的对称性,预言质子会衰变成更轻的次粒子.文章论述了质子衰变的物理概念、基本探测条件和主要实验现状,并在探测方法的探讨和探测技术的改进方面融入了一些想法.目前一般认为质子的寿命为τp>1032年左右.质子衰变的探测,对于新理论模型的验证、宇宙学和粒子物理学的发展具有重要意义.     

人体静电放电对有机发光二极管的影响

研究了静电放电（ESD）人体模式（HBM）下的脉冲应力对有机发光二极管（OLED）的性能及寿命的影响,并讨论了相应的物理机制。对比分析了4组OLED在施加ESD放电为0,200,800,1 600 V前后的电学和光学特性,并进行了相应的寿命测试分析。研究发现,OLED器件的光谱对ESD不敏感,随着冲击电压的增大,由于静电打击对载流子的短期抑制效应,OLED的亮度出现轻微下降。在静电冲击电压为200 V和800 V时,伏安特性没有发生变化;当静电冲击电压增至1 600 V时,反向漏电有明显增加。后续的加速寿命实验表明,静电打击对器件的工作寿命没有明显的规律性影响,但是会一定程度提高非本质老化失效的概率。     

风云二号C星正式交付用户单位

据国防科工委网站报道,2005年7月14日,国防科工委在京举行了风云二号C星交付仪式,该卫星正式由研制单位中国航天科技集团公司交付给卫星应用单位中国气象局.     

全寿命周期成本设计分析及其在思居110kV变电站的应用

文章采用现值法从成本比例、费用-效益、成本阶段分布三个方面简述了变电站的全寿命周期设计,并就其在思居110kV变电站设计中的应用进行了分析,论述了全寿命周期成本设计的优势。