利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法

强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0.18μm×0.15μm nMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.     

TEL中国的里程碑

不论是语言还是文字，在成型之初数字就已经作为其最重要的元素存在了，可以说正是数字的广泛运用才使得人类文明能够快速发展和繁荣。在当今社会，数字的运用更加多元化，但归根究底最常见也是最重要的用法还是作为一个量。当然，在不同的领域同样的数字其价值和意义是不能同日而语的，比如在IC行业中，如果说设计公司设计的芯片计算能力是以亿为单位，晶圆制造产量是以万为单位，     

碰撞脉冲锁模（CPM）激光器腔型稳定区的数值计算

采用传输矩阵方法分析了用于碰撞脉冲锁模激光器的六镜环形腔的稳定性,获得了该腔的稳定区图,计算的结果对于设计、调整这类光腔具有重要意义。     

大截面超声变幅杆的近似设计理论

木文研究了大截面圆形变幅杆的设计问题,通过引进变幅杆的等效半径,利用表观弹性法理论,分析了圆锥形、指数形及悬链线形三种常用变幅杆的耦合振动,给出了适用于工程应用的近似设计及计算公式.理论计算及实验表明,利用近似理论计算设计大截面变幅杆,物理意义明显,计算简单,利用计算器便可迅速得出所需数据。与一维理论的计算结果相比,考虑径向振动后所得到的大截面变幅杆的谐振频率更接近于实际测量值,并且设计频率与测量频率之间的误差也完全满足工程上的要求.     

广播电视卫星传输（连载四）

高功率放大器是上行站维护工作中的重中之重，因为相对来说它的故障率最高，维护工作涉及面较多，同时也最危险。正确的使用和维护对高功放故障率的降低及运行寿命的延长起着非常关键的作用。高功率、宽带是广播电视卫星上行站所用高功放的特点，目前国内各站对于全国态功率放大器、行波管功率放大器及速调管功率放大器3种主流放大器技术均有不同的选择。     

压力下屏蔽对有限深量子阱中施主结合能的影响

考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化,以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响,利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级.对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算,给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系,并讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能.