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用1553nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明,当光电导开关处于3.33~10.3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度200fs且单脉冲能量0.2nJ的激光脉冲照射时,开关表现为线性工作模式,开关输出峰值电压为0.8mV.分析表明,开关对波长为1553nm触发激光脉冲表现出的弱光电导现象起因于半绝缘GaAs材料EL2深能级的作用. 相似文献
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介绍了低压VDMOS的结构和各个参数及相互间的关系,并按TSUPREM-4工艺仿真软件的工艺流程顺序给出了各步工艺的设计思路、方法、注意事项。对外延层厚度进行了计算,并用该软件实现了耐压55 V,导通电阻11 MΩ的低压VDMOS器件结构的工艺设计,绘出了仿真结构图。 相似文献
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正交频分复用(OFDM,Orthogonal Frequency Division Multiplexing)技术是长期演进(LTE,Long Term Evolution)的核心技术之一.目前,基于导频的信道估计是OFDM系统中信道估计的常用方式.在基于导频的信道估计方式下,结合LS估计算法提出了一种下向插值算法(DWI).在LTE信道模型及导频结构下,通过MATLAB仿真工具,将该算法和现有各种算法的性能进行了比较和分析.仿真结果表明,使用结合LS估计算法和DWI算法的OFDM系统信道估计机制,具有复杂度低、易于实现的优点. 相似文献