选通式象增强器的新型导电基底

本文介绍了采用光刻技术制备的一种新型的导电基底,它的面电阻≤ 10Ω,透过率约为 89%.在该基底上研制出的选通式象增强器,可实现选通时间在 ns级以上的高速选通,适用于微光、瞬时多通道高速光谱分析系统和高速摄影系统.     

中子活化分析在古陶瓷原料产地研究中的应用

介绍了用中子活化分析方法测量古陶瓷和仿古陶瓷中的微量元素,通过对这些测量数据进行模糊聚类分析 ,可以确定这些古陶瓷和仿古陶瓷的材料来源 ,寻找提高仿古陶瓷质量的途径.Trace-elements in ancient ceramics and imitative ancient ceramics were determined by neutron activation analysis (NAA). The NAA data are then analyzed by fuzzy cluster method and the trend cluster diagram is obtained.The raw material sources of ancient ceramics and imitative ancient ceramics are determined. The path for improving quality of imitative ancient ceramics is found.     

溶胶-凝胶法制备Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O微粉

以金属醋酸盐为原料,用溶胶-凝胶技术制备了Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O微粉,并用TG、DTA、IR、XRD和TEM等手段对Bi_1.85Pb_0.35Sr_1.9Ca₂Cu_3.1O_y粉末的热分解和晶化行为以及粉末粒度进行了分析测试,并用此微粉制备出以2223相为主要物相、零电阻为105K的高温陶瓷超导体。     

陶瓷先驱体——含钛聚碳硅烷凝胶渗透色谱校准方程研究

采用以气相渗透法测定了数均分子量的宽分布含钛聚碳硅烷作标样,通过计算机辅助建立了具有较低分子量和较高支化度的陶瓷先驱体聚合物——含钛聚碳硅烷的凝胶渗透色谱校准方程ｌｎＭ＝２０．９－０．８４３Ｔ。将这一方程应用于实际样品分析时,测定的数均分子量值与气相渗透法测定结果基本一致,偏差绝对值小于８．０％。钛的引入使其与聚碳硅烷本体的校准方程相差很大。     

膜催化研究IV: 钯-氧化铝/陶瓷复合膜

本文在无机氧化铝膜的基础上掺入钯, 用sol-gel法制得钯-氧化铝/陶瓷复合膜, 将该膜用于乙醇脱氢制乙醛反应, 分别考察了反应温度、乙醇进样量以及内管惰性气体吹扫气流对乙醛产率的影响, 并在相同条件下比较了常规反应器及单纯氧化铝膜反应器的结果。实验数据表明, 氧化铝膜中掺入钯后可显著提高乙醛产率。本文测定了该复合膜的H2/Ar分离系数、孔径分布, 并利用电子显微镜、X射线衍射等手段对其进行了表征。     

夹层压电复合材料的研究

使用碳黑／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）导电复合材料与０－３型ＰＺＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料进行二次结构复合,形成夹层压电复合材料,对其压电性能进行了分析测试。研究结果表明,夹层压电复合材料的压电系数（ｄ３３、ｄ３１）比原单层０－３型ＰＺＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料有明显提高。此外,从理论上分析说明了其压电系数提高的原因在于夹层压电复合材料受到外部应力作用时,产生了内部应力。     

不同施主掺杂的BaTiO3基PTC 热敏陶瓷复合工艺的研究

设计了一种不同施主掺杂的BaTiO     

PLZT陶瓷的晶界现象

利用显微技术,研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片, 利用十字形电极, 观察在电场作用下, 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象,如： 晶界平滑区, 晶界区的电光性, “壳－芯”结构, 析出物在晶界区的沉积, 电畴在该区的成核和生长, 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区, 对上述现象起重要作用     

陶瓷PTC与有机PTC的性能比较及应用

正温度系数的热敏电阻（ＰＴＣ）作为一种新型过流保护元件,近几年来已在程控交换机的用户接口电路防高压雷击、交流电搭接等方面得到了广泛应用。热敏电阻（ＰＴＣ）按制造材料可分为有机聚合物ＰＴＣ和陶瓷ＰＴＣ两大类。有机ＰＴＣ由高分子聚合物掺入碳粉经挤压成形。...     

镀膜陶瓷真空室脉冲磁场穿透特性研究

 介绍了合肥电子储存环新凸轨注入系统中将采用的超高真空陶瓷镀钛真空室的研制状况。对穿过真空室镀膜的脉冲磁场特性进行了理论分析与计算。讨论了不同的镀膜厚度及方式对脉冲磁场均匀性的影响,用跟踪程序计算了注入过程磁场径向不均匀性对束流轨道的扰动,给出了涡流引起的磁场径向不均匀性最大允许值。