装炉方式和研磨时间对压电陶瓷烧成的影响

以“浸红”作为烧成判别法,并以B_(0。9138)Ca_(0.0862)TiO_3陶瓷为例研究了承烧体数量对烧成的影响,探讨了最佳装炉方式,发现:增加承烧量,烧件感受的真实温度显著下降,改善装炉方式可减弱烧件热传导阻滞所造成的影响。平面密堆积方式因烧柱高度最低而显示明显的优越性。研磨时间也会影响烧成。稳定研磨工艺是稳定烧成工艺的必要条件。反之,烧成的异常现象可能提示人们去核查研磨工艺。     

氮化铝基板薄膜金属化技术

氮化铝陶瓷由于具有热导率高等一系列综合优势。在电力电子及功率微电子技术中具有巨大的应用潜力，目前ＡｌＮ基板应用的关键是金属化技术。本文介绍了ＡｌＮ薄膜金属化技术的特点及可靠性测试情况。     

低烧高频多层陶瓷电容器工艺改进

以低烧高频多层陶瓷电容器为例,分析比较了原国产线和引进线的工艺和原材料消耗,论证了采用引进线来生产原国产线产品的可能性和必要性。并通过工艺试验进一步证明了转线生产的可行性。由于新线采用了流延浇注成膜工艺,不但可节约原材料60％以上,且产品的容量命中率、工艺一致性及电性能均有提高:绝缘电阻R_i>10~(11)Ω,tgδ<10×10~(-4),>kV,α_c<60×10~(-6)·℃~(-1)。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

MEMS运动件的芯片外机械驱动方法

研究MEMS微结构的片外机械式驱动问题,介绍了在MEMS硅芯片背面贴合一块宏观尺度PZT片的驱动思想即PZT产生机械运动,在硅固定件与微运动件之间产生动量耦合,从而驱动微运动件.重点探讨脉冲驱动、振动驱动两大类基本驱动方法及其特点,介绍国外代表性研究结果,并提出对该方法进一步研究的观点与设想.     

Ce, Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制

测量了淬火前后8Ce, 0.5Y-TZP陶瓷(稳定剂Y2O3的摩尔分数为0.50%)在室温到250℃温度范围内的内耗行为,并对出现的内耗峰机理进行了研究,发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr‘V偶极子的再取向有关,而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变.此外,本文还研究了8Ce, 0.5Y-TZP和8Ce, 0.75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗,计算了介电驰豫的激活能,结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

浅谈先进陶瓷

中国陶瓷有着漫长的发展历史,中国最早的陶器可追溯到9000年前,而瓷器也早在4000年前就已出现。如今陶瓷制品广泛应用于社会生活、科学技术的方方面面。所谓陶瓷,从广义上讲,指除有机和金属材料之外的所有其他材料,即无机非金属材料;从狭义上讲,陶瓷材料主要指多晶的无机非金属