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41.
X7R弛豫复相铁电陶瓷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在55~+125℃范围内相当平坦,室温相对介电常数高达3 877,并从离子的键型分析了影响介电温度稳定性的原因,初步探讨了提高介电温度稳定性的机制。  相似文献   
42.
研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。理论分析表明,分割电极狭缝宽度会减小致动器自由端的位移输出,但当狭缝宽度小于致动器电极宽度的10%时,可忽略狭缝宽度的影响。致动器端部位移的测试结果大于理论计算值。与现有磁头悬浮臂尺寸相近的致动器,在20V~50V的电压驱动下均可获得1μm~2μm的致动位移。对9850道/厘米的密度磁盘,该位移能覆盖至少一个磁道宽度,满足磁头定位两级伺服系统对第二级致动器位移的基本要求。  相似文献   
43.
44.
利用国产原料,采用传统的陶瓷材料制备工艺,研制了居里温度TC≥400°C的高温PTC陶瓷,制成了居里温度TC=412°C,电阻R≤103Ω,lg(Rmax/Rmin)=4的高性能PTC热敏陶瓷材料  相似文献   
45.
本文主要介绍了EMC衬垫传输阻抗和屏蔽质量理论及测量方法。在此基础上,对国内外部分衬垫产品进行了实际测量和讨论。  相似文献   
46.
流延法制作AlN陶瓷基片工艺   总被引:7,自引:1,他引:6  
研究出一种用流延法制作AIN陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的AIN基片。经1650℃,保温2h无压烧结制得的基片,其热导率达130W/(m·K)、密度为3.34g/cm ̄3,表面光滑平整,瓷体结构均匀,性能达到用干压法制备的同类基片的性能。  相似文献   
47.
用LHPG法从粉末棒直接生长单晶光纤   总被引:7,自引:2,他引:5  
  相似文献   
48.
陶瓷鉴频器的带宽及其自动补偿青岛海信电器公司李继彬60年代出现了一种轻小、价廉的新器件—陶瓷滤波器,可用来代替电路中的LC谐振回路,使机器小型化,并降低了成本。陶瓷滤波器用具有压电性能的陶瓷作材料,结构很像瓷介电容器,也是一块具有特定几何尺寸的薄片,...  相似文献   
49.
激光对陶瓷层的釉化处理   总被引:1,自引:1,他引:0  
王涛  郑启光 《激光技术》1995,19(1):53-56
本文研究了激光重熔等离子体喷涂的陶瓷层。为了降低气孔率,获得好的微观结构和均匀性,减少覆盖材料的应力,提高涂层材料和基体的结合力,探讨了相间的结合机理,分析了重熔过程中出现的问题。  相似文献   
50.
讨论了流延法生产A12O3陶瓷基板中影响厚度公差、表面粗糙度和产生干燥缺陷的各种因素,提出改进的措施与途径。从而稳定地大批量生产无缺陷的优质A12O3基板。  相似文献   
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