Ag/ZnO基陶瓷复合材料的微结构和电学行为

通过制备银/氧化锌基陶瓷复合材料,研究了复合材料的微观结构和基本电学行为。通过XRD、SEM的分析和基本物理量(密度和电阻率)、I-V特性的测量结果发现,银与氧化锌陶瓷之间并没有发生化学反应,致密度也不高。但是,二者的复合使原来在2000V/cm下不显现非欧姆特性的氧化锌陶瓷具有了非欧姆特性,非线性系数α达8.4,此时银的质量分数约为20%,银若过多(≥30%)或过少(≤10%)都不利于非欧姆特性的实现。     

基于弛豫行为的无铅反铁电陶瓷储能性能优化研究进展

电介质具有极快的充放电速度和超高的功率密度等优点,在新能源汽车、脉冲功率器件等领域有着广阔的应用前景。无铅反铁电陶瓷因具有独特的双电滞回线而表现出较高的储能密度,是重要的电介质储能材料。在无铅反铁电陶瓷中引入弛豫行为,构建形成弛豫型反铁电体是进一步提升其储能密度和储能效率的有效途径。综述了近年基于弛豫行为优化无铅反铁电陶瓷储能性能的研究进展,重点阐述了弛豫行为对钛酸铋钠(Bi_0.5Na_0.5TiO₃)、铌酸银(AgNbO₃)及铌酸钠(NaNbO₃)基陶瓷储能性能的影响规律和内在机制,并提出了未来研究中亟待解决的问题。     

Vishay推出用于医疗磁力共振设备的无磁性MLCC

日前,Vishay宣布,推出用于MRI（磁力共振影像）设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器（MLCC）---VJ。VJ系列无磁性电容器采用C0G（NPO）和X7R/X5R电介质,提供多种外形尺寸、额定电压和电容值器件。     

导电高分子材料的研究与应用探究

主要介绍了聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚对笨乙烯撑这几类导电高分子在近年来的研究进展.综述了提高导电高分子的电导率,改善其溶解性及可加工性的方法,以及导电高分子在电子器件、电池、电磁屏蔽材料、导电橡胶、透明导电膜等方面的实际应用和将来的研究方向.     

氧化铍陶瓷的分析研究

本文对高热导率电绝缘材料氧化铍进行了分析测试 ,包括对高纯氧化铍粉末的纯度及内含有害杂质的精确测定 ,可对氧化铍陶瓷片的微观结构、晶相、缺陷的分析检测等 ,并对原料不纯和工艺条件控制不当而导致的失效情况进行了分析研究。氧化铍是一种性能极优的高导热绝缘材料 ,它的高频损耗低 ,是制造大功率输能窗、大功率行波管螺旋线夹持杆的首选材料 ,也广泛用作大功率半导体器件的热沉材料、集成电路陶瓷基片和电真空器件的封装管壳。对原材料的纯度进行精确测定 ,可降低成本和损耗 ;对成型、排胶、烧结过程中不同工艺条件下生产的氧化铍陶瓷…     

颗粒包覆法制备BZT-CT复合陶瓷

采用预合成的方法,分别用得到的单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末作为正负温度系数组元,用sol-gel法制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃,包覆两组元颗粒以阻止其相互反应,从而制备复相零温度系数微波陶瓷。结果表明:预合成及颗粒包覆法可抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷的烧结温度,调节温度系数。特别是900℃烧结的w(CT)为4%的样品,其εr约为47,αε为2.8×10–6℃–1。     

表面改性碳纳米管/PMMA复合材料的电性能

在悬浮液中加入表面改性剂,改变纳米粒子表面的性质,从而抑制纳米粒子间的团聚,有力地改善了碳纳米管在聚合物中的分布,增强了纳米复合材料的电性能。并研究了不同的改性剂对电性能的影响。经研究,经过十八醇表面改性后的纳米粒子对纳米复合材料的电性能影响最好,改性后的MWNTs/PMMA纳米复合材料电阻最小可达到4k?左右。     

氮化硅陶瓷平板振动模态参数的研究

本文采用压电陶瓷片测振技术,试验分析了氮化硅陶瓷平板的固有频率及模态阻尼比,试验结果与有限元计算结果比较吻合。本文还对氮化硅陶瓷平板与普通钢平板做了对比试验,结果表明氮化硅陶瓷平板的固有频率及模态阻尼比都较高。     

氧离子导体La1.9Y0.1Mo2O9细晶粒陶瓷的制备和电学性质研究

采用溶胶凝胶法合成的La_1.9Y_0.1Mo₂O₉纳米晶粉体, 结合微波烧结技术制备出不同晶粒度的La_1.9Y_0.1Mo₂O₉块体样品. 利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射显微镜(HRTEM)、场扫描显微镜(SEM)对粉体及陶瓷块体的物相、 形貌进行了表征, 利用交流阻抗谱仪测试了样品不同温度下的电导率. 实验结果表明, 掺Y的La_1.9Y_0.1Mo₂O₉能将高温立方β 相稳定到室温; 块体样品致密均匀, 平均晶粒度范围在60 nm–4 μm之间; 致密度高的样品表现出高的电导率, 其中900 ℃烧结样品的电导率600 ℃时高达0.026 S/cm, 比固相反应法制备的La_1.9Y_0.1Mo₂O₉样品高出约1倍. 总结认为样品的致密性对电导率影响较大, 是通过影响晶界电导率来影响总电导率的, 样品的晶粒度(在60 nm–4 μm范围内)对电导率的影响还不能确定. 关键词： 氧离子导体 1.9Y_0.1Mo₂O₉')" href="#">La_1.9Y_0.1Mo₂O₉ 细晶粒陶瓷 微波烧结     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.