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111.
本文将注意力和重点放在界面问题,新材料和新器件概念上。关于材料界面,说明了理解多层电容器和压电体内电极.陶瓷相互扩散以及局部热化学处理的重要性。同时考虑在高频LTCC中不用传统埋置电容器并指出采用新中间材料的可能性。介绍了具有中等介电常数和低损耗特性、可与Al电极共烧并可为超低温共烧陶瓷(550℃)打下基础的新介电材料。最后得出LTCC的替代应用的概念并说明了使用介电电泳力控制微通道中胶体颗粒流动。  相似文献   
112.
基于BCM的有源功率因数校正电路的实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析整流电路的拓扑结构和工作模式,探讨该整流因数校正Boost开关变换器的设计方法.仿真结果表明,所设计的以MC33262为核心的临界导电模式有源功率因数校正(APFC)电路能在90~270 V的宽电压输入范围内输出稳定的400 V直流电压,并使得功率因数达0.99,系统性能优越,达到设计要求.  相似文献   
113.
用机械力化学法合成了单相Pb(Sc0.5Ta0.5)O3(R)弛豫铁电陶瓷微粉,并对球磨5h得到的陶瓷粉体和未经球磨的原料进行了热处理研究,实验结果表明,单相Pb(Sc0.5Ta0.5)O3可在球磨7h得到,TEM图像显示,晶粒尺寸为30-40mm,与根据Scheerer公式计算的结果吻合,5h粉体的热处理结果显示,焦绿矿相并未因球磨过程而在煅烧中不出现,原 粉体的热处理结果也显示出焦绿矿在1350℃温度下煅烧4h,仍有少量存在,比较实验的结果表明,在制备Pb(Sc0.5Ta0.5)O3的过程中,初始原料必须经过充分球磨才可实现单相目标产物的合成。  相似文献   
114.
精密陶瓷部件近净成型技术的发展   总被引:5,自引:0,他引:5  
重点介绍了近十年发展起来的陶瓷部件的近净成型技术 ,主要包括直接凝固注模成型、凝胶注模成型、陶瓷注射成型、陶瓷无模成型和微注入成型。对这些新的成型方法的原理、工艺过程及应用特点进行了较全面的分析与比较。  相似文献   
115.
采用X射线荧光、X射线衍射、金相显微镜和扫描电镜等分析方法 ,通过对微波管陶瓷材料的理化分析 ,对俄罗斯陶瓷及其金属化技术进行了研究 ,并对化学成分和显微结构对性能的影响作了初步的讨论。  相似文献   
116.
对陶瓷管壳在金属化过程中产生的黑斑进行观察和检测分析 ,对其产生原因进行了探讨并提出一些改进措施。  相似文献   
117.
低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板是微电子先进产品MCM的重要组成部分。这种基板的通孔金属化是制作成功基板的关键。本文重点分析了形成稳定金属化通孔导体的固有应力和热应力产生的原因,以及如何采取对策来解决。  相似文献   
118.
采用传统固相法制备稀土氧化物La2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明,随着La2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增,非线性系数先增加后减小,而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。综合衡量ZnO压敏电阻的各项性能指标发现,在1 000 ℃烧结温度下,La2O3的质量分数为0.25%时,ZnO压敏电阻的综合性能最好,其电位梯度为532.2 V/mm,非线性系数为41.6,漏电流为3.3 μA。  相似文献   
119.
陶瓷金属化生产中的Mo粉,通过采用科学的球磨方法,根据经验及理论公式计算球磨过程的各个工艺参数,进行各项生产性试验测试分析,应用于生产,产品的抗拉强度及一次金属化层微观形貌均达到了理想的要求,并经多次试验重复,肯定了这一工艺改进的正确性。  相似文献   
120.
日本全面启动印制电子技术的发展来自日本经济贸易和产业省(METI)信息,日本成立了"日本先进印制电子技术研究协会(JAPERA)",全面启动印制电子技术的发展。JAPERA旨在新一代印制电子材料和工艺的基础技术开发,具体课题是推进更环保、节能和低成本的大面积电子电路制造,并寻求生产技术和设备标准化,使印制电  相似文献   
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