高分子基导电复合材料气敏响应机理研究

高分子基气敏导电材料是近年来发展起来的一种新型功能高分子复合材料.本文介绍了以炭黑(CB)为导电填充剂的复合传感材料的气敏响应机理的体积膨胀模型、结晶模型和氢键模型,并讨论了逾渗阀值、CB及聚合物微观结构与性能、以及CB与聚合物和溶剂三者之间相互作用等因素对该类材料气敏响应性的影响.     

全印制电路用导电聚苯胺的合成与性能研究

采用苯胺、（NH₄）₂S₂O₈、CrCl₃等为原料,合成了Cr（Ⅲ）离子掺杂导电聚苯胺。合成的最佳合成条件为:反应温度在0～4℃下,苯胺和与（NH₄）₂S₂O₈摩尔比为1:1,搅拌4.5小时,加入CrCl₃物质的量为苯胺的30%。样品的IR光谱、UV/Vis光谱测试结果表明,掺入Cr（Ⅲ）离子的聚苯胺中,苯醌环特征振动峰出现了35cm-1的移动;在UV/Vis吸收光谱中,掺入Cr（Ⅲ）离子后发生了15nm的红移。样品DSC和TG热分析表明,合成产物在200℃开始出现热分解。用四探针电阻仪测试样品的电导率大于1S/cm,是一种很有希望用于全印制电路技术中的新材料。     

原位聚合法制备聚酰胺/聚苯胺复合导电纤维

研究了原位聚合法制备聚酰胺/聚苯胺导电纤维,并对制备的复合纤维进行红外及光学显微镜测试,结果表明聚苯胺与纤维成功复合。对制备的复合纤维进行电导率测试,采用控制单一变量法探讨了苯胺单体在不同的条件下聚合对纤维电导率的影响,并讨论了反应温度对聚合过程和电导率的影响,得出最佳的工艺条件为:纤维经30%的甲酸溶液预处理20min,苯胺单体浓度为0.8M,氧化剂过硫酸铵浓度为1M,掺杂酸为盐酸,浓度为0.8M,冰水浴条件,反应时间为4h,得到的聚酰胺/聚苯胺导电纤维的电导率为3.7S/m。     

（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2]的合成及表征

合成了一种新型的导电配位型化合物（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2].通过元素分析（EA），电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES），核磁共振（^1HNMR），紫外光谱（UV）对该化合物进行了表征。     

有机PTC复合材料的交联效应

讨论了有机ＰＴＣ导电复合材料经高能射线辐照交联的条件。通过实验，分析了氧气氛对交联的影响、辐照剂量对结晶度的影响和交联对材料的电阻－温度曲线的影响。     

聚合物PTC材料的研究与应用

对聚合物ＰＴＣ材料ＰＴＣ现象的几种解释作了介绍，着重讨论了其导电机制、影响电性能的主要因素及其在自动限温和过电流保护等领域的应用，简要说明了它的几种制作方法，并对当前该领域的发展趋势和最新研究开发进展作了较详细的介绍。     

衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明，衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响，明显的形貌转变温度大约发生在175℃，低于175℃，薄膜呈镜面结构，晶粒为球状，高于177℃的较高温度范围，薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织；随着温度增加，薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm²/V·s的高迁移率和3.28×10^-2 Ω·cm的低电阻率，对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极. 关键词： MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池     

溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.