LaFe1-xNixO3-δ系陶瓷导电性研究

采用标准的固相反应法制得ＬａＦｅ１－ｘＮｉｘＯ３－δ系陶瓷,用双臂电桥原理、四探针法对材料的电阻率进行测试。结果表明,ＬａＦｅ１－ｘＮｉｘＯ３－δ系陶瓷在０．６〈ｘ〈０．８范围具有金属态导电性,在该系材料中,存在着氧缺位和导电电子,因此具有较高的电子和氧离子混合导电性。制造工艺与氧缺位密切相关,适当提高烧结温度可使室温电阻率降低。温温实验证明,在１２０Ｋ附近材料存在一相变过程。     

聚吡咯的电子能带结构

本文用EHMO方法计算了类苯型,类等键长型及类醌型等聚吡咯的电子能带.分析了原子电荷分布及价带,导带与能隙的宽度,并由此探讨了聚吡咯可能的电导机理.     

新型C~n[M(dmit)~2]类导电配位化合物的研究

首次将不饱和杂原子环状阳离子(N-甲基吡啶阳离子、N-甲基喹啉阳离子和N-甲基苯并噻唑阳离子)及三甲基苯基铵阳离子引入[M(dmit)~2]^n^-体系制备得到了6个新型的导电配位化合物C~n[M(dmit)~2](M=Ni,Pd,Pt,n=2,1)。对这些新化合物进行了组成和结构的测定,研究了它们的IR,UV,ESR和XPS,测定了变温磁化率和室温导电率。结果表明,外部阳离子的大小和形状会影响阴离子部分[M(dmit)~2]^n^-的荷电量以及电荷分布,从而导致配合物性能的改变,说明外部阳离子可以通过另外一种方式来影响配合物的电性能。     

稀土强韧化MoSi2材料的室温性能

通过机械合金化-冷等静压-高温烧结工艺制备了MoSi     

聚乙二醇／锂化蒙脱土溶液插层纳米复合的研究

通过溶液插层方法制备了聚乙二醇/锂化蒙脱土纳米复合材料。采用XRD、TEM、电子衍射、TGA及DTA对制得的材料进行了分析和表征。结果表明,聚乙二醇插入到锂化蒙脱土层中形成了具有良好离子导电性的纳米复合材料。     

电缆用高分子材料电气性能的探讨

高分子材料的电气性能是由高分子材料内部结构决定的,用于不同的电压等级和使用环境的电缆在考核电缆用高分子材料的电气性能时,应有针对性地进行参数指标考核。     

分子导体θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O的合成、结构和导电性

用恒电流电化学结晶的方法合成了一种新的基于电子给体BEDT-TTF(双亚乙基二硫四硫富瓦烯) 的电荷转移盐θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O (ET为BEDT-TTF的简写,C7H7SO-3=对甲苯磺酸根).用四圆X衍射的方法测定了θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O的结构.晶体属于三斜晶系,P-1空间群;a=0.8682(1) nm, b= 1.2027(1) nm, c=2.5890(3) nm, α=87.025(6)°, β=89.117(8)°, γ=69.071(7)°, V=2.5216(5) nm3, R=0.0580.晶体中ET自由基沿a轴方向堆积成柱,相邻两个分子柱中的ET分子平面的夹角为49.30°.在b轴方向存在着分子柱侧向间的S…S近距作用.ET阳离子层与对甲苯磺酸根阴离子层沿c轴方向上交替排列.位于阳离子层与阴离子层之间的许多H2O形成了有利于晶体导电性的二维氢键网络.θ-(ET)(C7H7SO3)·3H2O在(001)晶面上某方向上的室温导电率为0.011 S·cm-1,所测变温电导曲线表明,该晶体在120～278 K温度区间内表现为半导体导电行为,导电激活能Ea=0.316 eV.从278～286 K表现为金属导电性.在276 K附近存在金属-半导体相变.     

溶剂热法制备ATO纳米球及其性能研究

以五水四氯化锡和三氯化锑为主要原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法合成了锑掺杂氧化锡(ATO)纳米球。用X射线衍射仪和透射电子显微镜对合成的ATO纳米球进行结构表征,用紫外可见分光光度计和低阻抗表面阻抗仪研究其光电性能。结果表明：所合成的ATO均为四方晶型结构,由粒径为5~10 nm的ATO纳米晶聚集成直径为80~120 nm的纳米球,且分散性良好。Sb³⁺掺杂量对ATO纳米球的光、电性能有很大影响,随着Sb³⁺掺杂量的增加其可见光透过率和电导率都呈现先增大后减小的变化关系。在n_Sb/n_Sn比为9∶100时其光电性能达到最佳。     

原位一步法制备BTDA/4,4′-ODA/4,4′-SDA 聚酰亚胺表面银化薄膜

采用原位一步自金属化的方法制备了具有反射性和导电性的表面银(Ag)化的聚酰亚胺(PI)薄膜,PI是由一种二酐(3,3′,4,4′-四羧基二苯酮酐,BTDA)和两种二胺(4,4′-二氨基二苯醚,4,4′-ODA与4,4′-二氨基二苯硫醚,4,4′-SDA)三元共聚而得,系统研究了4,4′-SDA的引入对薄膜性能及相态结构的影响.结果表明,4,4′-SDA的加入有助于银的还原和迁移,并利于薄膜导电性的提高,薄膜的反射率在两种二胺单体4,4′-ODA与4,4′-SDA的摩尔比为1比1时达到最佳.     

(Me_3NEt)[Pd(dmit)_2]_2和(NEt_4)[Pd(dmit)_2]_2的结构、能带及导电性

合成了导电分子晶体(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2和(NEt4)[Pd(dmit)2]2, 测定了它们的晶体结构和电导-温度曲线. 在能带计算基础上解释了(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2的室温电导率(σ= 58(Ω·cm)-1)高于(NEt4)[Pd(dmit)2]2 (σ= 2.2(Ω·cm)-1)的原因. (Me3NEt)[Pd(dmit)2]2属单斜晶系, P21/m空间群; (NEt4)[Pd(dmit)2]2属三斜晶系, P1 空间群. 两种晶体的导电组元皆为平面型配位阴离子[Pd(dmit)2]0.5-, 它们以面对面形式的二聚体 存在. 凭借肩并肩形式的S…S分子间相互作用, 二聚体进一步形成二维导电分子层. 两种配合物的二维导电分子层的微小结构差异导致电导率一个数量级的差别. 变温电导测定还表明, 两种晶体皆为小能隙的半导体.