自悬浮定向流法制备纳米铜微粒及其结构表征

采用自悬浮定向流法制备金属铜纳米微粒,并用TEM,XRD和AES等分析手段研究了铜纳米微粒的形貌、粒度、结构及其表面氧化层特性。结果表明,在一定的参数条件下采用自悬浮定向流法可制备出单晶纳米铜微粒,并且通过工艺参数的调控可达到对微粒粒度的控制。     

异戊醇萃取-原子荧光光谱法间接测定中草药中铜含量

提出了一种原子荧光光谱法间接测定中草药中铜含量的方法。在弱酸性介质中,CuI与HgI42-反应生成稳定的Cu2HgI4,经异戊醇萃取分离后,通过用原子荧光光谱法测定有机相中剩余的汞量,间接换算成铜含量。铜的质量浓度在0.01～0.1mg.L-1范围内与荧光强度呈线性关系,方法的检出限(3S/N)为3.5μg.L-1。方法用于国家标准物质黄芪(GSB-19)、茶叶(GSB-7)和柑橘叶(GSB-11)的分析,测定值与认定值相符,测定值的相对标准偏差(n=9)在0.8%～2.4%之间。     

CuNaY分子筛的制备及其催化甲醇氧化羰基化

采用多种铜盐溶液与NaY分子筛离子交换制备了CuNaY催化剂,通过加入氨水提高溶液pH值以及高温活化,显著提高了该催化剂对甲醇氧化羰基化合成碳酸二甲酯的反应活性。不同的铜盐水溶液交换制备的CuNaY催化剂催化活性不同,添加氨水将溶液pH值调节为11后,离子交换制备的CuNaY催化剂的催化活性和DMC选择性明显升高且趋于一致。经元素分析、XRD、XPS和H₂-TPR表征可知,加入氨水可促进Cu²⁺离子交换的进行,提高CuNaY催化剂中Cu的交换量,催化剂中约75%的Cu²⁺定位于分子筛的超笼中。     

Siltronic AG加入IMEC研究硅基GaN

世创电子材料公司Siltronic AG和比利时微电子研究机构IMEC达成一场协议,双方的合作属于IMEC氮化镓工业联盟计划(IIAP)中的一部分,目的是为下一代LED以及功率半导体原件提供能够在200 mm的硅晶片上生长的GaN层。     

Intersil推出具有卓越效率和功率密度的新型10A降压稳压器

全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球交易代码:ISIL)宣布,今天推出具有优异效率和功率密度的最新10A集成式FET同步降压稳压器---ISL95210。ISL95210提供0.6%输出精度且无需补偿。     

HDI系统印制板板面露基材问题改善探讨

主要从HDI系统板板面露基材的几种情形进行原因分析,针对不同异常情形给出相应的改善方法及预防措施,重点强调铜箔质量问题引起的露基材问题,并给出了改善建议.     

基于双三唑甲烷的两种新型Cu(Ⅱ)配合物的结构和性质

本文利用柔性配体双三唑甲烷(btm),在水热条件下合成了2个新的配合物[Cu0.5(btm)Cl]n(1)和[Cu(btm)Cl2]n(2)。实验表明,氯离子的配位模式会随着金属和配体的比例的不同而改变,从而得到了两种结构不同的配合物。化合物1为一维链状结构,链与链之间通过四重Cl…H-C氢键组合成了三维超分子结构。化合物2为二维(4.4)连接的网状结构,单重氢键Cl…H-C将二维层连接为三维结构。两种配合物用单晶X-衍射、元素分析、热重、顺磁共振等技术进行了表征。     

磁性交联壳聚糖微球对Cu2+的吸附性能研究

以Fe_3O_4为磁核,环氧氯丙烷为交联剂,制备磁性交联壳聚糖微球(MCB)。采用FTIR、XRD及SEM对MCB进行表征分析,结果表明壳聚糖发生了交联反应,且Fe_3O_4被壳聚糖包埋。通过正交试验L_9(3~4),得到MCB的最优制备工艺条件为:环氧氯丙烷用量为3.0 mL,反应温度为45℃,反应时间为3.0 h,MCB对Cu~(2+)的吸附率可达63.70%。同时在单组分体系中研究了MCB对Cu~(2+)的吸附行为,结果表明:MCB对Cu~(2+)的最佳吸附pH值为5.0,MCB对Cu~(2+)的吸附遵循Langmuir等温吸附模型;动力学研究表明,MCB对Cu~(2+)的吸附过程符合拟二级吸附动力学方程。     

电偶腐蚀对先进封装铜蚀刻工艺的影响

在先进封装的铜种子层湿法蚀刻工艺中,电镀铜镀层的蚀刻存在各向异性的现象。研究结果表明,在磷酸、双氧水的蚀刻液体系中,因电偶腐蚀造成的凸点电镀铜蚀刻量约为铜种子层蚀刻量的4.9倍。通过分析凸点上锡、镍镀层的能谱数据及蚀刻效果,发现该凸点结构中的锡、镍镀层表面存在钝化层,导致锡、镍镀层的蚀刻量远低于铜镀层。在加入不同添加剂的蚀刻液中,通过络合铜或破坏锡、镍镀层表面钝化层的方法,均能达到抑制凸点上铜镀层发生电偶腐蚀的效果。其中,复合型添加剂可以使凸点上铜镀层的横向蚀刻量降低约82%,并且添加剂无残留风险。