再论发展Ka频段测控通信网的思考

讨论了Ka频段地球网测控通信的特点和主要技术问题,指出了它在高速数传、抗干扰、提高作用距离、提高测量精度、减小"黑障"影响、兼容Ka频段卫通等方面的优点,提出了用虚拟测控系统解决雨衰,用空间谱分析解决Ka频段窄波束捕获等的方案设想.     

1310nm、1550nm全光纤型双窗口宽带耦合器

介绍一种利用熔融拉锥技术制作1310nm、1550nm 全光纤型双窗口宽带耦合器的新方法。文中还给出了利用这种方法制成的器件的基本性能参数。器件能较好地满足实际工程的要求。     

基于TD-LTE宽带数字集群系统的无线专网商业模式及应用研究

本文结合宽带数字集群通信系统发展的需求和现状,分析了TD-LTE在无线专网中的技术优势,并重点介绍了宽带数字集群无线专网的商业模式和应用场景。     

美、欧Wi-Fi型无线宽带服务的新近进展

1引言
　　拙文“美国大型有线电视公司利用Wi-Fi技术开办无线宽带接入服务”在本刊2014年第9期上发表以后,陆续搜集了多篇文章,它们分别阐释有线电视企业投入巨资以开办Wi-Fi型无线宽带服务的缘由和Wi-Fi型无线宽带服务的优势,以及陈述美、欧大型有线电视企业这方面实践新例和Wi-Fi技术的两项新近改进。以下择要归纳成文,供国内有关人士参阅。     

大屏幕彩电新电路新技术精萃(4) 变焦方式的垂直消隐电路与宽带输出电路

变焦方式的垂直消隐电路：为了满足宽屏幕显示的要求，保证图像不失真，使画面的行幅和场幅都以相同的倍数扩展，大屏幕彩电采用了变焦方式的垂直消隐电路进行场消隐，以避免变焦过程中电子束打到荧光屏以外的地方，确保图像质量和色纯度。垂直消隐电路如图6所示。     

微波宽带超大功率合成技术

介绍了系统内微波宽带超大功率合成原理、合成效率分析、微波宽带行波管功率合成的设计方法以及功率合成的幅相不一致性对合成效率的影响,并提出了行波管选择和行波管电源设计的要点和新思路,给出了一种实用的大功率合成系统的原理框图,介绍了一种微波宽带功率合成系统的调试方法,给出了测试数据以及数据分析,为微波宽带功率合成技术应用开辟了一条有意义的途径。     

广电网络业务发展的分析

以促进广电网络发展为纲,分析广电主要的3项增值业务:付费频道,高清互动,宽带业务。从实际出发,分析现状并为其正确定位,对其发展方向及业务增长方式题出建议,指出广电未来以电视业务宽带业务为主线的盈利格局。     

宽带IP网建设分析与实现

1 引言 沈阳市苏家屯区位于沈阳南部,距市中心15km。苏家屯整个网络工程于1999年开始筹建,到2000年建成并正式投入使用。4个中心机房所连接的700多个光节点,使全区宽带数据网的覆盖率达到95％。到目前为止已为3000多普通用户,290多集团用户提供了接入服务。基本上实现了全区范围内数据业务的     

基于二分搜索的宽带多普勒模型信号捕获方法

针对深空通信等超高动态低信噪比通信场景中,传统信号捕获方法存在着动态范围不足、精确度不够以及使用窄带多普勒模型导致对接收信号近似精确度不高的问题,提出一种基于二分搜索的接收端采样率调整方法。使用宽带多普勒模型对接收信号进行建模,并使用扫频余弦类信号进行多普勒频偏估计和定时估计,处理多普勒伸缩后的信号与本地信号采样率不匹配的问题。对所提方法进行同步性能仿真,仿真结果表明,所提方法采用正反扫频线性调频(UD-LFM)信号,能在信噪比为-49 dB、最大多普勒频偏为2 MHz的条件下,多普勒频偏估计误差小于400 Hz,定时估计误差不超过60 ns。相比不使用本文所提方法进行直接捕获,本文所提方法具有更高的捕获精确度以及更低的信噪比门限。     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…