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901.
1演示超重现象
取透明塑料瓶一个,截去瓶底,并改用一张白纸封住底部(可用细线捆扎).再取一段橡皮筋,一端和一柱形金属重物连结,并将重物放入瓶中,橡皮筋另一端固定在瓶口处.静止时重物不和白纸接触,约保持1cm距离.整个装置如图1所示. 相似文献
902.
根据"电力拖动自动控制系统"课程特点及要求,本文针对DKSZ-Ⅲ电机控制系统实验装置,在模拟控制直流双闭环单元电路基础上,开发了数字控制双闭环调速的实验挂箱。数字实验挂箱硬件由数字信号处理器TMS320LF2407及相应的外围接口电路组成,软件采用C语言与汇编语言混合编程,并包括一个ASR和ACR调节器。该挂箱实现了直流双闭环的数字控制,为本课程提供了数字实验平台。 相似文献
903.
The present focus of the CBELSA/TAPS experiment is on meson-photoproduction off the nucleon using polarized photons and polarized targets. Here first preliminary results on the reactions γp → pπ and γp → pπ for both circularly and linearly polarized photons and a longitudinally polarized target are presented. Preliminary results for the beam asymmetry ∑ and the double polarization observable G have been extracted for both reactions using the linear polarization data. From the circular polarization data the observable E has been determined. Due to the near 4π angular coverage of the detector system these results cover almost the full solid angle. 相似文献
904.
热特性模拟广泛应用于电力、消防、工业、医疗、安防等国民经济及军事部门,而验证是模拟软件优化发展过程中重要的一个环节;对于热特性模拟软件来说,一般通过实验验证对软件进行验证。为了有效快速地进行验证,将地面物体简单处理为CUBI及立方体模型。放置于各实验模型物体表面特征位置(面中心、中线)的热电偶可获得物体的实测温度数据,模拟软件所需的某些输入参数可以通过风速仪等相关仪器获得。通过对实验及计算数据的比较验证了该模拟软件的精确度基本符合要求,并且还发现了在模拟软件中应该注意的一些问题。 相似文献
905.
906.
替代法和中值法测量电流计表头内阻是普通物理实验中的一个基本实验.目的是了解电流计内阻在实验中所起的作用,掌握它的测量方法,了解电流计内阻对测量的影响,训练按回路接线及电学实验的操作.实验过程中,经常会出现同一共性问题.本文从理论上分析产生这一问题的原因,并阐述解决方法. 相似文献
907.
这篇短文还要写续实在是没有想到,当时并没有“且听下回分解”的意思。不过以后的实验的确很有收获,因为在对东芝35R手提电脑的开关电源进行实验以后,我还做了18V/7.5A的实验,音效有了更明显的进步。怎么才能进一步提高呢?我做了下列实验。 相似文献
908.
新课程实验教材已完成了一轮教学.由于新课程的理念变了,编写意图也发生了变化,新教材相对于与原教材而言,内容变了、体系改了、要求不同了、方法更新了.因此,在教学中新旧理念互为碰撞、教学方法多有调整、内容处理各有不同.于是,教师如何更好地领会编写者的意图,体现新课程的理念,使学生得到全面发展是需要教师在教学中经常思考和密切注意的问题. 相似文献
909.
介绍了基于BGK模型(Bhatnagar-Gross-Krook)的气体动理学数值方法(Gas Kinetic Scheme,GKS),通过计算多组分激波管问题对以GKS方法实现的MBCD程序进行了验证,表明了在接触间断处产生的震荡非常小,网格收敛性好。在多组分问题求解时各组分满足同温和同速的假设条件下,利用该程序开展了Air/SF6斜界面不稳定性实验的数值模拟,得出了不同时刻SF6的密度分布图,并得到交界面宽度、斜界面左右端相对位置在激波穿过斜界面后的变化情况。通过与实验结果的比较可知,GKS方法和程序在网格数为1024×200和512×100时得到的交界面宽度与实验值的最大误差分别为6.1%和7.3%,可用于对界面不稳定性问题的计算。 相似文献
910.
Influence of reaction gas flows on the properties of SiGe:H thin film prepared by plasma assisted
reactive thermal chemical vapour deposition 总被引:1,自引:0,他引:1
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A new preparing technology, very high frequency plasma assisted reactive thermal chemical vapour deposition (VHFPA-RTCVD), is introduced to prepare SiGe:H thin films on substrate kept at a lower temperature. In the previous work, reactive thermal chemical vapour deposition (I~TCVD) technology was successfully used to prepare SiGe:H thin films, but the temperature of the substrate needed to exceed 400℃. In this work, very high frequency plasma method is used to assist RTCVD technology in reducing the temperature of substrate by largely enhancing the temperature of reacting gases on the surface of the substrate. The growth rate, structural properties, surface morphology, photo- conductivity and dark-conductivity of SiGe:H thin films prepared by this new technology are investigated for films with different germanium concentrations, and the experimental results are discussed. 相似文献