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晶圆背面减薄是集成电路后封装关键工艺,通过金刚石磨轮的磨削作用,对芯片背面的基体材料-硅材料去除一定的厚度,从而降低芯片厚度,改善芯片的散热效果,有利于后期的封装工艺。主要介绍了在晶圆减薄过程中的关键指标TTV 的影响因素,通过设备自动控制,进行工艺角度调整,能够减小晶圆TTV 值,从而提高晶圆磨削质量。 相似文献
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高三化学复习的应遵循“高效性、有效性、针对性”的原则.本文重点结合镇江市的复习教学实践和所见所闻所思探讨复习中常见的3种偏差现象及防偏策略,以便更好地提高复习效率,进一步提升学生的化学素养. 相似文献
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通过构造适当的非负鞅,将Doob鞅收敛定理应用于几乎处处收敛的研究,给出了一类非齐次树上马氏链场加权和滑动平均的若干强偏差定理. 相似文献
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厚胶光刻非线性畸变的校正 总被引:3,自引:0,他引:3
利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。分析空间像形成及其在光刻胶内传递、曝光、显影等过程中非线性因素的影响,利用模拟退火算法对掩模透射率函数进行校正,以提高光刻面形质量,并以凹面柱透镜为例,给出了校正前后的显影轮廓模拟结果,其校正后浮雕面形的体积偏差仅为2.63%。该方法在有效改善面形质量的同时,并没有引起掩模的设计、制作难度及费用增加,这对于设计、制作高质量的微结构元件有重要意义。 相似文献
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M.Matsui 1993年就指出线性密码分析是分组密码设计最重要的安全性能指标之一,所以有必要估计分组密码抵抗线性密码分析的能力.M.Kanda等人1999年讨论了传统Feistel密码的线性偏差,K.Nyberg和张如文等人对一类特殊的非平衡Feistel网络的线性偏差进行了研究.本文对一类m分组非平衡Feistel网络的线性偏差关系进行了深入的研究和分析,给出了任意轮线性偏差与轮函数F的线性偏差的数学关系,对其线性偏差的上界进行了讨论,并证明了有关线性偏差关于密钥的平方均值的两个特性.本文的研究推广了K.Nyberg和张如文等人的结论. 相似文献