首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   268篇
  免费   10篇
力学   1篇
数学   6篇
物理学   6篇
无线电   265篇
  2022年   2篇
  2021年   7篇
  2020年   2篇
  2019年   4篇
  2018年   4篇
  2017年   2篇
  2016年   5篇
  2015年   1篇
  2014年   12篇
  2013年   11篇
  2012年   13篇
  2011年   17篇
  2010年   15篇
  2009年   14篇
  2008年   14篇
  2007年   14篇
  2006年   21篇
  2005年   18篇
  2004年   22篇
  2003年   29篇
  2002年   9篇
  2001年   11篇
  2000年   2篇
  1999年   1篇
  1998年   4篇
  1997年   1篇
  1996年   3篇
  1995年   4篇
  1994年   6篇
  1992年   2篇
  1990年   5篇
  1989年   3篇
排序方式: 共有278条查询结果,搜索用时 15 毫秒
271.
目前科汇盈丰和科汇的设计工程部门Memec Design宣布,为在基于FPGA的应用中用高速RLDRAM(低延迟动态随机存取内存)进行设计推出完整的解决方案。在盈丰美洲提供的Memec Design RLDRAM演示平台中,包括1片XilinxVirtex-IITMFPGA、4片Infineon Technologies的32位HYB18RL25632 RLDRAM芯片、Memec Design RLDRAM控制器、工作频率200MHz DDR(每引脚每秒400兆位)的物理接口以及标准的P160接口。平台还包括一个模块已经预先编程的参考设计实例,可以直接进行设置和测试。  相似文献   
272.
三层以太网交换机发展迅速,一方面网络设备的带宽及交换容量大幅提升,另一方面设备所支持的协议种类也随着用户的需求不断增加。如何在大业务量的网络环境下确保各设备之间协议包的正常交互,是以太网交换机设计面临的重要问题。文章以基于ASIC的三层以太网交换机为例,从CPU负载、软硬件队列配置、CPU和交换芯片的通信机制等方面入手,讨论并分析在多进程环境中与CPU收发包功能相关的一些典型问题,得到解决办法。解决方法对于网络处理器(NP)同样适用。  相似文献   
273.
沈江  蒋剑飞 《信息技术》2011,35(4):81-84
存储器对DSP的性能影响很大,双存取SRAM能以单端口SRAM的面积实现类似双端口SRAM的功能。提出一种实现存储器单周期双存取功能的驱动电路的设计,根据访存时序改进了DSP总线结构和双存取SRAM的接口控制单元。仿真结果表明,双存取SRAM驱动电路与DSP总线能够实现有效的连接和高效的访存性能。  相似文献   
274.
针对90 nm及以下线宽光刻设备对掩模版升降定位存取机构功能和性能的需求,确定了掩模版升降定位存取机构的基本构架,并对机构进行了设计.  相似文献   
275.
分析了策略系统存储模型在判断策略问条件变量值的相交性方面存在的不足,研究了概念格结构在该方面的优势,提出了基于分类概念格的动态策略存取模型,利用策略属性值之间的偏序关系,将动态策略仓库组织为概念格.设计了基于概念格的策略冲突检测算法,用超概念一子概念查找操作代替属性值相交性判断,缩减了冲突检测空间,提高了冲突检测效率.分析了算法的性能,通过仿真验证了算法的有效性.  相似文献   
276.
介绍了一种采用CMOS图像传感器来实现智能机器视觉识别的方法,通过LM9638采集图像数据,经过复杂可编程逻辑器件(CPLD)(XC95144-TQ144)进行总线传输和转换,然后ARM以直接内存存取(DMA)的传输方式将图像数据保存到存储器中。同时ARM将采集到的图片数据进行预处理,通过模板对比算法,将采集到的数据与事先存储的数据进行分析和比较,完成机器智能视觉识别。通过CPLD对采集时序进行了分析,并进行了测试仿真,经验证后速度和效果均达到设计要求。  相似文献   
277.
铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点  相似文献   
278.
提出了一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DDR SDRAM的数据经过传输线传输后均能被器件采样到正确的数据。采用256M133MHz DDR SDRAM和1.5V、0.16μm CMOS标准单元库,模拟和测试结果都表明了该结构的正确性。该结构同样可用于其它不同PVT条件下需要固定延迟的电路。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号