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271.
《世界产品与技术》2003,(2):84-84
目前科汇盈丰和科汇的设计工程部门Memec Design宣布,为在基于FPGA的应用中用高速RLDRAM(低延迟动态随机存取内存)进行设计推出完整的解决方案。在盈丰美洲提供的Memec Design RLDRAM演示平台中,包括1片XilinxVirtex-IITMFPGA、4片Infineon Technologies的32位HYB18RL25632 RLDRAM芯片、Memec Design RLDRAM控制器、工作频率200MHz DDR(每引脚每秒400兆位)的物理接口以及标准的P160接口。平台还包括一个模块已经预先编程的参考设计实例,可以直接进行设置和测试。 相似文献
272.
273.
存储器对DSP的性能影响很大,双存取SRAM能以单端口SRAM的面积实现类似双端口SRAM的功能。提出一种实现存储器单周期双存取功能的驱动电路的设计,根据访存时序改进了DSP总线结构和双存取SRAM的接口控制单元。仿真结果表明,双存取SRAM驱动电路与DSP总线能够实现有效的连接和高效的访存性能。 相似文献
274.
针对90 nm及以下线宽光刻设备对掩模版升降定位存取机构功能和性能的需求,确定了掩模版升降定位存取机构的基本构架,并对机构进行了设计. 相似文献
275.
276.
邱永华 《电子产品可靠性与环境试验》2012,(3):65-69
介绍了一种采用CMOS图像传感器来实现智能机器视觉识别的方法,通过LM9638采集图像数据,经过复杂可编程逻辑器件(CPLD)(XC95144-TQ144)进行总线传输和转换,然后ARM以直接内存存取(DMA)的传输方式将图像数据保存到存储器中。同时ARM将采集到的图片数据进行预处理,通过模板对比算法,将采集到的数据与事先存储的数据进行分析和比较,完成机器智能视觉识别。通过CPLD对采集时序进行了分析,并进行了测试仿真,经验证后速度和效果均达到设计要求。 相似文献
277.
铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点 相似文献
278.
提出了一种适用于DDR SDRAM控制器的DLL新结构,在不同的工艺、电压和温度(PVT)条件下,DDR SDRAM的数据经过传输线传输后均能被器件采样到正确的数据。采用256M133MHz DDR SDRAM和1.5V、0.16μm CMOS标准单元库,模拟和测试结果都表明了该结构的正确性。该结构同样可用于其它不同PVT条件下需要固定延迟的电路。 相似文献