千锤百炼再创新高——写在B&W新600系列音箱正式对外发布之际

B＆W对广受欢迎的经典入门级产品600系列音箱进行了重新设计和显著改良后推出了新600系列产品,它融合了顶级的新800系列的技术和工艺,这不是一次普通的改良,它代表了性能和声音的巨大进步,以及本价位所取得的最高技术水平。就在不久前,在香港举办的2007高级视听展期间英国B＆W公司正式对外发布了新600系列音箱,而在此前的2007年4月14日,新600系列已经在上海召开的内部研讨会上亮相。B＆W新600系列音箱产品已经于2007年5月在欧美正式投放市场,国内上市销售时间估计是在国庆节之后。     

基于时间混色的无滤色膜液晶显示技术研究

针对目前高质量的滤色膜制造工艺复杂,成本较高的问题,提出了一种利用LED做背光源结合一种时间混色的液晶显示技术,实现颜色显示无滤膜化,使液晶显示系统具有结构简单、色彩输出能力强、性能价格比高的优点。     

中频宽带接收机AGC电路的研究

从一种典型的AGC环路模型推导出环路的动静态特性与环路各元件参数的关系，定性定量地分析了环路的稳态误差、稳定时间以及动态范围，并利用Analog公司的AD8367和AD8361设计了符合要求的具有大动态范围、宽带放大能力的中频AGC环路，通过实际测量验证了理论分析的正确性。     

基于服务器端动态时钟的网络一次一密口令模型

网络一次一密口令的提出,可以较好地克服现行口令机制的缺陷,论文在已有模型的基础上,提出了由服务器端动态分配系统时间,实现整体网络用户口令的一次一密;同时系统初始化密码和用户口令密码分离,兼顾了系统口令的安全性与用户口令的简便性。模型对穷举攻击等也有极好的防御能力。     

具有空间重叠性和时间同步性的双波长TEA CO2激光器研究

提出了一种改进的双波长TEA CO2激光器,不仅具有良好的空间重叠性,而且具有比较理想的时间同步性.该激光器由两个空间上部分重叠的光栅和一个锗镜构成光栅-平面腔,两个光栅前后放置,相互利用,共同建立双频振荡,由锗镜输出双波长激光.通过改变两光栅的有效面积,对两输出脉冲空间重叠性进行调节;通过改变两光栅的角度形成的失谐缩小输出脉冲的时间间隔,达到时间同步性.实验表明,可以在空间重叠性的基础上使两输出脉冲的时间间隔由1 000 ns调整到200 ns.     

飞秒时间分辨光抽运探测技术及进展

文章简要介绍了飞秒时间分辨光抽运探测技术以及作者所在实验室的最新研究进展．灵敏度和信噪比是实验中的重要参数，文章着重介绍了作者在这两方面的改进，从而可检测到更微弱信号，并降低了使用的激光功率．配合具有光学窗口的液氦低温系统，还可对更多领域的材料进行研究，其中包括高温超导、生物化学样品和纳米材料等，并可给出物质内部结构等方面的重要信息．     

天鹅绒阴极产生的双脉冲强流相对论电子束特性实验研究

在时间分辨的模式下, 实验研究了天鹅绒阴极产生的双脉冲相对论强流电子束的束心运动、束包络和束的发射度. 在实验中, 电子束流强度和电子束心运动用电阻环进行测试, 而电子束和石英玻璃的相互作用产生的契仑科夫辐射用来给出电子束包络和发射度信息. 电子束和石英玻璃作用产生的契仑科夫辐射用1台8幅分幅相机记录. 实验结果表明, 天鹅绒阴极产生的相对论强流双脉冲电子束在束流大小、束心运动轨迹、束包络及束发射度等方面具有较好的一致性.     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.     

Long-Time Dynamical Behaviour of Alternative-Current Stark Effect

We report the long time dynamical behaviour of ac Stark effect in a simple quantum model in which two level atoms interact with quantized coherent radiation field. A new phenomenon of periodic quantum collapse and revival of the ac Stark shift of energy level due to ac Stark effect is expressed accurately by analysing the phase of transition probability amplitude. The analytic prediction is confirmed by the numerical results.     

CVD金刚石薄膜探测器性能研究

通过实验测量和理论分析, 从载流子动力学角度研究了用于脉冲辐射探测的CVD金刚石薄膜探测器的适用结构、电荷收集效率和时间响应性能. 结果表明, CVD金刚石薄膜可以制成均匀型结构的探测器; 薄膜中的缺陷会降低探测器的电荷收集效率, 探测器的电荷收集效率随场强增大而增大直至饱和. 已研制的CVD金刚石探测器电荷收集时间可达719ps, 在2.5V/μm场强下达到饱和, 电荷收集效率 达60.5%; 晶格散射是影响探测器时间响应的主要因素, 选用大晶粒甚至单晶金刚石薄膜可以提高探测器时间响应.